基于范德华异质结构的电荷采样光电探测器
 评论 ⋅  2022-10-18 17:34
美研究人员开发出十分钟快充电动汽车新技术
 评论 ⋅  2022-10-18 17:29
上海光机所在光脉冲群速度控制研究方面取得进展
 评论 ⋅  2022-10-18 16:41
清华团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流
 评论 ⋅  2022-10-17 15:53
苏州纳米所梁伟等在高重复频率窄线宽外腔激光器领域取得进展
 评论 ⋅  2022-10-17 15:51
清华团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流
 评论 ⋅  2022-10-14 18:09
半导体所等研究团队合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
 评论 ⋅  2022-10-14 17:45
简述碳化硅功率器件封装关键技术
 评论 ⋅  2022-10-14 17:34
高压碳化硅器件封装国内外研究进展
 评论 ⋅  2022-10-13 14:32
西安交通大学研究团队超宽禁带半导体材料研究领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-13 11:41
中山大学研究团队首次实现了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射频谐振器
 评论 ⋅  2022-10-12 18:05
SiC MOSFET特性分析及应用
 评论 ⋅  2022-10-12 17:55
电力电子中 IGBT 散热器选型应用
 评论 ⋅  2022-10-12 16:39
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司招聘
 评论 ⋅  2022-10-12 15:51
国际首台基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模块的35kV/5MW电力电子变压器顺利通过全部型式试验
 评论 ⋅  2022-10-11 17:39
基于原子层沉积技术的具有常温相变能力的钨掺杂二氧化钒兼容于8寸晶圆及PI薄膜
 评论 ⋅  2022-10-10 17:57
简述使用不同类型GaN FET 设计提高系统设计功率密度
 评论 ⋅  2022-10-10 17:51
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述
 评论 ⋅  2022-10-10 15:59
金刚石在器件散热应用中的研究动态几则
 评论 ⋅  2022-10-10 15:52
中国科大在高性能金刚石量子器件制备上取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-09 11:50
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
 评论 ⋅  2022-10-09 11:44
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取
 评论 ⋅  2022-09-26 17:25
合肥工业大学在可重定义微波无源器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2022-09-22 17:12
韩科研团队研发新一代半导体气敏传感器
 评论 ⋅  2022-09-22 10:40
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
解析电子封装陶瓷基板
 评论 ⋅  2022-09-20 17:10
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
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