重磅!江苏仁奇将新建化合物晶圆产线:年产6寸线60万片,年封测10亿颗

日期:2020-06-17     来源:GaN世界    
核心提示:近日,太极实业公司接到控股子公司信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司(十一科技)发来的通知,十一科技与江苏仁
近日,太极实业公司接到控股子公司信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司(“十一科技”)发来的通知,十一科技与江苏仁奇科技有限公司(“江苏仁奇”,项目业主)就江苏仁奇发包的江苏仁奇科技有限公司芯片产业园项目签订了《EPC总承包工程合同》。
 
据披露,江苏仁奇科技有限公司芯片产业园区投资建设项目拟利用2年时间,在泗阳经济开发区建成一个涵盖芯片制造、封测、研发的产业化基地,形成年产6英寸0.25um芯片线60万片,年封测10亿颗的生产能力。
江苏仁奇科技有限公司芯片产业园项目EPC总承包工程的金额达10.886亿元(含税价),总工期为30个月(开工日期以发包人的开工令为准),工程承包范围:为本项目提供EPC服务,包括本项目的设计、施工、协助招标人与政府相关职能部门协调、用户交接以及项目施工前的各项手续的办理和项目完成后各项竣工验收的全过程服务及相应的保修服务。本项目未包含需业主另行支付的生产工艺设备、监理费、试生产费用、建设单位管理费、其他前期工作、厂区高压变电站、供电外线费、大宗气站及气站设备、办公家具、二次配管配线等。
 
太极实业表示,合同的签订体现了子公司十一科技在集成电路产业领域的EPC领先地位,合同的履行将对公司的经营业绩产生积极影响。
 
据天眼查获悉,这家公司2019-08-30成立,注册资本50000万人民币,注册地址宿迁市泗阳县经济开发区浙江路36号。
此前泗阳人民政府公告,江苏仁奇科技有限公司年产18万片GaAs、年封测13亿片集成电路建设项目环境影响报告表的批复,这么说仁奇科技布局应该就是化合物半导体砷化镓项目。建设地点应该就是江苏泗阳经济开发区太湖路东侧、浙江路北侧。
5月泗阳人才信息网,江苏仁奇科技有限公司公布的招聘信息,获悉,目前共招聘建厂预算员和工程手续员,那么江苏仁奇科技有限公司应该最近要开始厂房建设,根据十一科技近日公布最新消息,那么我们有理由相信此项目应该在近期就会开始建设,你怎么看呢?
 
另外,此次建设的半导体化合物GaAs,又是一个什么情况?
 
GaAs半导体产业:参与者多为Skyworks、Qorvo、Avago等国外IDM厂商。
 
衬底制备、外延片方面,日本处于领先地位。晶圆制备方面,全球GaAs衬底出货量将保持较强的增长趋势,预计2023年年出货量将从目前的170万片上升到400万片。当前,住友电工、Freiberger、日立电缆、以及ATX四家企业采用国际先进的液封直拉法(LEC)和垂直梯度凝固法(VGF),衬底直径最大可达6英寸,占据了90%以上的国际市场。国内企业如中科晶电、中科镓英等企业所制备的GaAs衬底普遍在2英寸到4英寸之间,部分企业仍采取较为落后的水平布里其曼法(HB),晶体质量较差。
 
制造代工方面,目前制造产能主要分布在IDM厂商和代工厂中,且代工厂的市场占比正不断提高,其中台湾地区的稳懋占据GaAs晶圆代工市场三分之二以上。产品设计方面,射频器件由国外IDM厂商垄断,我国在光电器件领域具备一定竞争力,目前已占全球LED市场近20%的份额。
GaN技术:难点在于晶圆制备工艺,欧美日在此方面优势明显,我国则以军工应用为主,产能略有不足。
 
由于将GaN晶体熔融所需气压极高,因此无法通过从熔融液中结晶的方法生长单晶,须采用外延技术生长GaN晶体来制备晶圆。目前最为主流的方法是氢化物气沉积法,住友电工、三菱化学等企业均采用此法,其中日本住友电工是全球最大GaN晶圆生产商,占据了90%以上的市场份额。
 
我国在GaN晶圆制造方面已经有所突破,苏州纳维公司的2英寸衬底片年产能已达到1500片,4英寸衬底已推出产品,目前正在开展6英寸衬底片研发。GaN外延片根据衬底材料的不同,可分为基于蓝宝石、Si衬底、SiC以及GaN四种,分别用于LED、电力电子、射频以及激光器,其晶体质量依次提升,成本依次升高。
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