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  • 复旦大学张园览：基于

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    复旦大学张园览：基于
    基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy张园览复旦大学Yuan-Lan ZHANGFudan University
    64700
    limit2022-05-01 20:24

  • 启迪半导体研发总监钮

    5540

    启迪半导体研发总监钮
    第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    55400
    limit2022-05-01 17:19

  • 美国俄亥俄州立大学教

    6580

    美国俄亥俄州立大学教
    碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
    65800
    limit2022-05-01 09:55

  • Victor VELIADIS：碳

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    Victor VELIADIS：碳
    碳化硅大规模商业化：现状与障碍SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美国电力首席执行官兼首席技术官、北卡罗莱纳州立大学教授
    54500
    limit2022-05-01 09:46

  • 徐现刚：碳化硅单晶衬

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    徐现刚：碳化硅单晶衬
    《碳化硅单晶衬底的研究进展及发展趋势》徐现刚 教授 山东大学
    46900
    limit2022-01-11 17:24

  • Jiaying Shen: Band o

    1610

    Jiaying Shen: Band o
    Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
    16100
    limit2022-01-07 15:01

  • 吴帆正树：碳化硅沟槽

    740

    吴帆正树：碳化硅沟槽
    《碳化硅沟槽刻蚀技术研究进展》作者：吴帆正树，张清纯，马宏平，张洁，侯欣蓝，张园览单位：复旦大学工程与应用技术研究院超越照明研究所
    7400
    limit2022-01-07 13:30

  • 李天义：SiC紫外单光

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    李天义：SiC紫外单光
    《SiC紫外单光子探测器及其成像阵列的器件物理与性能表征研究》作者：李天义，苏琳琳，周东，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院
    13500
    limit2022-01-07 10:26

  • 刘兴华：基于牛眼结构

    1110

    刘兴华：基于牛眼结构
    《基于牛眼结构微腔的碳化硅单光子发射》作者：刘兴华，刘泽森，任芳芳，徐尉宗，周东，叶建东，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学深圳研究院，南京大学电子科学与工程学院
    11100
    limit2022-01-07 10:24

  • 杨伟锋：碳化硅(4H-Si

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    杨伟锋：碳化硅(4H-Si
    《碳化硅(4H-SiC)紫外光电探测器研究现状》作者：杨伟锋，吴正云单位：厦门大学电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）微电子与集成电路系，厦门大学物理科学与技术学院物理系
    25000
    limit2022-01-07 10:23

  • 王蓉：半导体碳化硅材

    890

    王蓉：半导体碳化硅材
    《半导体碳化硅材料中位错的基本性质研究》作者王蓉，李佳君，罗昊，杨德仁，皮孝东单位：浙江大学杭州国际科创中心，浙江大学硅材料国家重点实验室和材料科学与工程学院
    8900
    limit2022-01-06 10:21

  • 皮孝东：半导体碳化硅

    1070

    皮孝东：半导体碳化硅
    《半导体碳化硅晶圆生长和单晶加工》作者：皮孝东单位：浙江大学硅材料国家重点实验室
    10700
    limit2022-01-05 17:02

  • 【视频报告 2018】株

    15670

    【视频报告 2018】株
    株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告；
    156700
    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】Ado

    12460

    【视频报告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技术官Adolf SCHÖNER介绍了《10千伏高压4H碳化硅PIN二极管的少子寿命调制》技术报告；
    124600
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】P.S

    24570

    【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
    245700
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】周

    25670

    【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】香

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    【视频报告 2018】香
    矩阵转换器被认为是一种最优异的交流-交流功率转换结构，因为其主要依赖于双向开关而几乎不需要其他被动组件。它不仅提升了能量转换效率，而且可以突破传统的通用逆变器所存在的开关切换速度，工作温度以及电压等级的限制。在此基础下，新型碳化硅（SiC）组件以及先进功率器件封装的应用将带来新一代矩阵转换器的重大发展与变革。香港应用科技研究院功率器件组总监袁述分享了《新一代碳化硅矩阵变换器》主题报告，报告中回顾矩阵转
    78500
    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2019】河

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    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
    122600
    limit2021-04-29 10:46

  • 美国Aymont Technolog

    18130

    美国Aymont Technolog
    181300
    limit2020-03-19 11:29

  • 【视频报告 2019】天

    15990

    【视频报告 2019】天
    报告嘉宾：北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士 报告主题：《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》
    159900
    limit2020-03-19 10:27

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