SiC MOS在新能源汽车充电桩中的技术进展及应用田亮南瑞联研半导体有限责任公司碳化硅产品线负责人TIAN Liang Leader of SiC Product for NARI-GEIRI semiconductor co.Ltd

电热应力下碳化硅功率MOSFET损伤的多尺度探测表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress刘斯扬东南大学教授LIU SiyangProfessor of Southeast University

氮化镓及碳化硅紫外探测器技术与产业化应用陆海镓敏光电董事长、南京大学教授LU HaiProfessor of Nanjing University

碳化硅及氮化镓功率器件在数据中心AC-DC电源上的应用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨台达电子高阶客制电源事业部中国区总监Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics

主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干

碳化硅基窄带紫外光电探测器崔艳霞*，李梦辉，胡鲲，耿路路，潘登，李国辉，王文艳，许并社太原理工大学

基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy张园览复旦大学Yuan-Lan ZHANGFudan University

第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd

碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow

碳化硅大规模商业化：现状与障碍SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美国电力首席执行官兼首席技术官、北卡罗莱纳州立大学教授

《碳化硅单晶衬底的研究进展及发展趋势》徐现刚 教授 山东大学

Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications

《碳化硅沟槽刻蚀技术研究进展》作者：吴帆正树，张清纯，马宏平，张洁，侯欣蓝，张园览单位：复旦大学工程与应用技术研究院超越照明研究所

《SiC紫外单光子探测器及其成像阵列的器件物理与性能表征研究》作者：李天义，苏琳琳，周东，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院

《基于牛眼结构微腔的碳化硅单光子发射》作者：刘兴华，刘泽森，任芳芳，徐尉宗，周东，叶建东，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学深圳研究院，南京大学电子科学与工程学院

《碳化硅(4H-SiC)紫外光电探测器研究现状》作者：杨伟锋，吴正云单位：厦门大学电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）微电子与集成电路系，厦门大学物理科学与技术学院物理系

《半导体碳化硅材料中位错的基本性质研究》作者王蓉，李佳君，罗昊，杨德仁，皮孝东单位：浙江大学杭州国际科创中心，浙江大学硅材料国家重点实验室和材料科学与工程学院

《半导体碳化硅晶圆生长和单晶加工》作者：皮孝东单位：浙江大学硅材料国家重点实验室

株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告；

瑞典Ascatron AB 首席技术官Adolf SCHÖNER介绍了《10千伏高压4H碳化硅PIN二极管的少子寿命调制》技术报告；