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新微半导体“一种
HEMT
器件的栅极、
HEMT
器件及其制备方法”专利获授权
北京大学申请多沟道GaN基
HEMT
专利,降低导通电阻进而降低损耗
北京大学申请多沟道GaN基
HEMT
专利,降低导通电阻进而降低损耗
《用于零电压软开通电路的GaN
HEMT
动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧:肖特基型p-GaN栅GaN
HEMT
的栅极抗静电鲁棒性
《用于零电压软开通电路的GaN
HEMT
动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
《用于零电压软开通电路的GaN
HEMT
动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
扬杰科技申请高封装功率密度的GaN
HEMT
器件及其制备方法专利
联合攻关成果!1700V GaN
HEMT
s器件研制成功
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利,提高GaN
HEMT
的动态稳定性
性能位居前列! 芯生代科技发布面向
HEMT
功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品
CASICON西安前瞻| 中国科学院半导体研究所副研究员张连:GaN功率型HBT与毫米波
HEMT
研究进展
CASA发布《分立GaN
HEMT
功率器件动态电阻评估》技术报告
东南大学牵头起草的《分立GaN
HEMT
功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
标准 | CASA立项《射频GaN
HEMT
结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等5项团体标准
东南大学牵头起草的《分立GaN
HEMT
功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
东南大学牵头起草《分立GaN
HEMT
功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
东南大学牵头起草《分立GaN
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功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
芯导科技:第三代半导体650VGaN
HEMT
产品预计今年可实现量产
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极
HEMT
东南大学牵头起草《分立GaN
HEMT
功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
技术分享:基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓
HEMT
s
Wolfspeed:GaN
HEMT
大信号模型
标准 | 电子五所牵头的T/CASAS 005《用于硬开关电路的GaN
HEMT
动态导通电阻测试方法》形成委员会草案
ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN
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的量产体制
河北半导体研究所高楠:国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN
HEMT
材料
西电张进成教授团队最新成果:基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN
HEMT
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中科院半导体研究所张连:亚毫米波段GaN基
HEMT
与选区外延技术研究
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE:i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN
HEMT
器件的性能和可靠性
中国科技大学Alsaman A. amgad:
HEMT
器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
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