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应用
士兰微“功率封装
结构
及其引线框”专利获授权
盛合晶微半导体(江阴)申请 3D 垂直互连封装
结构
及其制备方法专利,实现高密度封装
中图科技申请一种高深度微
结构
图形化半导体衬底及其制备方法专利
苏州晶湛半导体取得半导体
结构
及其形成方法专利,提高半导体外延层的性能
利普思半导体“一种功率模块
结构
”专利公布
豪纬集团申请一种基于微纳阵列
结构
GaN 基光电子芯片的制备方法专利,有效提高微纳
结构
中有源层的发光效率
扬州晶圆级芯粒先进封装基地项目主体
结构
封顶
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计
结构
专利,降低功率器件制造成本
芯联集成“沟槽型功率器件
结构
及其制造方法”专利公布
年产18亿片!晶引电子项目一期完成主体
结构
验收
总投资1.5亿元,诺天科技碳化硅半导体设备与基材生产基地项目主体
结构
封顶
北京大学申请金刚石基氮化物半导体异质
结构
制备方法专利,能够得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质
结构
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及
结构
优化方法专利,有效提高评估结果准确度
光来精密电子项目月底前主体
结构
就可实现全部封顶
“芯庐州”集成电路产业园一期项目主体
结构
封顶
拓荆科技半导体先进工艺装备研发与产业化项目
结构
封顶
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学魏杰:高速低损耗SOI LIGBT新
结构
与机理研究
CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大学罗小蓉:《氮化镓功率器件
结构
、驱动和电源应用
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件
结构
及其制备方法专利,显著提升器件的光输出功率
捷捷微电子“一种带有超结
结构
的屏蔽栅IGBT”专利公布
宏微科技取得电动汽车用IGBT或MOSFET版图
结构
专利,IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小
长鑫存储“半导体
结构
及其形成方法、存储器”专利公布
比亚迪半导体申请终端
结构
及其制造方法以及功率器件专利,能够提高耐压值
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利,提高整个异质集成
结构
的热导率
晶合集成申请半导体
结构
及其制备方法专利
中芯国际“电容器
结构
及其形成方法”专利公布
华海清科集成电路高端装备研发及产业化项目主体
结构
顺利封顶
长电科技申请光电芯片互联封装
结构
及其制备方法专利
华南师范大学王幸福:GaN微纳
结构
及其光电子器件研究
GaN微纳米器件
紫外探测器件
光谷筑芯科技产业园主体
结构
提前封顶
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