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捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:33
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
优炜芯紫外LED产业基地项目一期主体结构封顶
 评论 ⋅  2024-12-13 14:17
芯联集成“一种半导体结构及其形成方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-11 16:07
顺义第三代等先进半导体产业标准化厂房项目（二期）主体结构顺利封顶
 评论 ⋅  2024-12-11 08:45
芯谷第三代半导体设备项目主体结构正式封顶
 评论 ⋅  2024-11-22 11:33
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-08 16:26
联华电子申请半导体结构以及其形成方法专利，具有特定的结构和元件排列
 评论 ⋅  2024-11-06 14:22
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
总投资30亿 黄埔这一半导体项目主体结构将迎来全面封顶
 评论 ⋅  2024-11-03 13:35
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
荣耀“封装芯片结构及其加工方法、和电子设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-29 11:02
苏州敏芯微电子申请力传感器的封装结构及其制造方法专利，解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题
 评论 ⋅  2024-10-28 17:54
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-18 16:18
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:43
复旦微电子学院季力教授团队在金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的光催化水裂解电极方向取得成果
 评论 ⋅  2024-10-12 10:17
格兰菲申请功率半导体器件结构及其制备方法专利，有利于终端区面积缩小
 评论 ⋅  2024-10-11 10:53
臻驱半导体施工总承包项目厂房主体结构顺利封顶
 评论 ⋅  2024-09-25 21:11
提前4个月！“芯庐州”集成电路产业园（一期）项目主体结构全面封顶
 评论 ⋅  2024-09-23 06:40
上海壁仞科技取得封装结构专利，提高散热性能
 评论 ⋅  2024-09-20 11:00
晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利，提高半导体结构的良率
 评论 ⋅  2024-09-19 17:13
威迈芯材年产100吨半导体高端光刻材料项目主体结构全面封顶
 评论 ⋅  2024-09-14 15:49
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，避免因相邻膜层刻蚀选择比过大形成底切结构
 评论 ⋅  2024-09-11 14:14
三责新材二期半导体设备用高精度结构陶瓷产业化项目厂房封顶
 评论 ⋅  2024-09-06 17:08
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