扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利,方法制作工艺简单

日期:2024-10-29 阅读:228
核心提示:国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为一种新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法的专利,公开

 国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法”的专利,公开号CN 118824858 A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,一种新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法。涉及功率半导体器件技术领域。包括以下步骤:步骤1,提供N+型SiC衬底,并在N+型SiC衬底上生长N型SiC外延层;步骤2,在N型SiC外延层上通过主沟槽高浓度P+型离子注入,形成主沟槽Pplus屏蔽层;步骤3,在N型SiC外延层上通过主沟槽P型离子注入,形成主沟槽Pwell阱区;步骤4,在N型SiC外延层上通过主沟槽高浓度N+型离子注入,形成主沟槽Nplus区;步骤5,在N型SiC外延层上通过次沟槽高浓度P+型离子注入,形成次沟槽Pplus屏蔽层;步骤6,在N型SiC外延层上通过次沟槽P型离子注入,形成次沟槽Pwell阱区;本发明方法制作工艺简单,效果显著,不仅适用于新型SiC MOSFET功率器件的制造,同样适用于Si,GaN基等半导体器件的制造。

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