天眼查显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 “电容器结构及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年2月20日，申请公布号为CN117577624A。专利摘要介绍，一种电容器结构及其形成方法，其中结构包括：包括：衬底；若干中间电极层，每层中间电极层包括：沿第一方向平行排布的第一中间电极端和第二中间电极端；位于第一中间电极端和第二中间电极端之间的若干第一中间指状极板，其中，第一中间指状极板包括：若干第一分割段和若干第二分割段。由于第一分割段和第二分割段之间的间隙可通过光刻工艺控制在较小的范围，因此能够保证第一分割段和第二分割段之间具有较大的存储密度，以此提升电容器结构的存储密度。
