首页 > 新闻资讯 > 搜索
九峰山实验室推氧化镓科研级功率单管及coupon to wafer流片平台
 评论 ⋅  2025-04-18 23:35
【全球首发】8英寸氧化镓晶圆衬底震撼问世｜杭州镓仁邀您SEMICON见证半导体产业新突破
 评论 ⋅  2025-03-25 11:26
全球首发! 杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶，开启第四代半导体氧化镓新时代
 评论 ⋅  2025-03-05 16:44
镓仁半导体董事长张辉：大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展 | CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-04 16:48
CASICON重庆站：全面聚焦氮化镓、氧化镓、金刚石功率半导体技术及应用发展
 评论 ⋅  2025-02-28 17:39
研制成功！我国团队在氧化镓日盲光电探测器领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-28 09:30
新突破|镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
 评论 ⋅  2025-02-13 10:51
镓仁半导体氧化镓单晶生长突破性成果在晶体领域顶刊Crystal Growth & Design上发表
 评论 ⋅  2025-02-11 09:20
一批半导体项目签约衢州 涉及氧化镓、氮化铝单晶衬底等
 评论 ⋅  2025-02-07 16:51
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2025-01-09 17:12
半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-30 15:35
杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破，助力客户实现2400V增强型晶体管
 评论 ⋅  2024-12-30 07:45
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件突破
 评论 ⋅  2024-12-26 14:22
上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2024-12-17 16:04
镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
张道华院士：超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究
 评论 ⋅  2024-12-06 15:12
杭州镓仁半导体实现直拉法2英寸N型氧化镓单晶生长
 评论 ⋅  2024-11-29 09:51
深圳平湖实验室在氧化镓理论研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-11-11 15:08
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
镓仁半导体：铸造法成功生长超厚6英寸氧化镓单晶！
 评论 ⋅  2024-10-29 19:59
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2024-10-27 22:32
日本FOX公司计划2028年量产6英寸氧化镓晶圆
 评论 ⋅  2024-10-21 17:07
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
镓仁半导体推出氧化镓专用长晶设备
 评论 ⋅  2024-09-23 15:22
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工
 评论 ⋅  2024-09-14 15:51
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底
 评论 ⋅  2024-09-12 10:48
新突破︱镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破3英寸
 评论 ⋅  2024-07-16 10:54
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破
 评论 ⋅  2024-06-04 10:25
厦门大学团队在第四代半导体氧化镓材料外延和深紫外探测应用领域研究取得重要进展
 评论 ⋅  2024-04-18 16:08
6英寸氧化镓单晶实现产业化
 评论 ⋅  2024-03-21 16:32
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部