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开年盛会 | 固态紫外
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与器件技术分论坛嘉宾报告日程出炉——IFWS&SSLCHINA前瞻
芯长征、瑞迪威、盈科
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、柠檬光子、绿菱气体、熹联光芯6家企业获得融资!
IFWS 2022前瞻:射频电子
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与器件技术分会日程公布
平煤神马集团碳化硅半导体芯片
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成功下线
IFWS 2022前瞻:超宽禁带及其他新型半导体
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与器件技术分会日程公布
IFWS 前瞻:氮化物衬底
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生长与外延技术分会日程出炉
厦大课题组在有机半导体空穴传输
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领域取得系列进展
投资8亿元,任丙科技建年产1.3万吨人造蓝宝石新
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生产项目
上海微系统所在碳化硅异质集成
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与光子器件领域取得进展
山东有研艾斯半导体
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有限公司12英寸集成电路用大硅片产业化项目FMCS系统公开招标公告
中国科大在低维光伏
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点缺陷性质研究中取得新进展
万业企业参设上海半导体装备
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产业投资基金二期
中国电科46所氮化铝单晶
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关键技术取得重大突破
中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光
材料
与器件产业化关键技术获得立项
SiC
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厂商志橙半导体拟A股IPO
华兴资本:中国第三代半导体
材料
距离国际领先水平只差距5年左右
电科
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新外延
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产业基地首批硅外延和碳化硅外延下线
赛微电子已具备6-8英寸GaN外延
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生长能力 正在推动山东GaN产线建设
重要发现!3C-SiC有望PK单晶金刚石,成为高导热
材料
的选择
武汉大学袁超研究员:热反射表征技术在宽禁带半导体
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和器件领域的应用进展
国际领先水平!突破SiC晶体长厚的关键
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第三代半导体产业重要基础
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,已经在国内实现量产
上海微系统所在硅基碳化硅异质集成XOI
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领域取得重要进展
新型超宽禁带半导体
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厂商铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
国内头部12英寸硅片制造商奕斯伟
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C轮融资40亿
安泰科技超薄纳米晶
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进军第三代半导体行业
简述第三代半导体
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和器件中的热科学和工程问题
中科汇珠完成1.5亿元新一轮融资,聚焦SiC外延
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研发
华特气体6.46亿元募资项目提交注册,将用于年产1764吨半导体
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建设项目
北京理工大学晶圆级量子探测
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制备设备采购公开招标公告
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