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CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
英飞凌与美的签署战略合作协议：聚焦技术创新与智能绿色生活
 评论 ⋅  2025-05-14 10:10
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇：碳化硅功率器件空间电荷补偿技术
 评论 ⋅  2025-05-14 10:08
CSPSD 2025前瞻|扬杰科技施俊：SiC功率器件的技术发展和应用、挑战和未来趋势
 评论 ⋅  2025-05-13 13:49
CSPSD 2025前瞻|国联万众王川宝：SiC电力电子芯片技术与SiC基GaN射频芯片技术进展
 评论 ⋅  2025-05-13 10:35
CSPSD 2025前瞻|电子科技大学章文通：基于电荷场调制机理的高温高压车规SOI超结BCD技术
 评论 ⋅  2025-05-12 14:40
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半导体技术创新中心有限公司李士颜:新一代SiC功率MOSFET产品研制进展
 评论 ⋅  2025-05-12 11:11
CSPSD 2025前瞻|超芯星刘欣宇：破界·赋能·引领——化学气相法碳化硅衬底技术创新开启未来产业新纪元
 评论 ⋅  2025-05-12 11:03
CSPSD 2025前瞻| 中国科学院上海微系统所程新红：宽禁带半导体3D集成技术
 评论 ⋅  2025-05-09 11:40
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-09 10:15
英飞凌推出SiC沟槽型超结（TSJ）技术
 评论 ⋅  2025-05-09 10:03
TMC2025车规级功率半导体论坛剧透：破解新能源“卡脖子”技术
 评论 ⋅  2025-05-08 15:22
CSPSD 2025前瞻|济南大学张春伟：场板技术中的电场调制机制：基于电荷的视角
 评论 ⋅  2025-05-08 10:43
九峰山实验室2025技术服务体系发布
 评论 ⋅  2025-05-08 09:43
英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电
 评论 ⋅  2025-05-07 17:12
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰：氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
 评论 ⋅  2025-05-07 15:19
2025车用功率半导体应用技术培训会将在广州南沙举办
 评论 ⋅  2025-05-07 15:00
CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道会：面向车规应用的功率之”芯”SiC及封装技术挑战
 评论 ⋅  2025-05-07 11:07
中国科学院微电子所在碳硅三维异质集成器件上取得进展
 评论 ⋅  2025-05-07 09:19
CSPSD 2025前瞻|通富微电邢卫兵：新能源时代半导体封测技术与趋势
 评论 ⋅  2025-05-06 18:31
CSPSD 2025前瞻|炽芯微电子朱正宇：功率器件封装技术的发展及展望
 评论 ⋅  2025-05-06 16:38
中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-06 09:32
高纯硅粉制备氮化硅陶瓷
 评论 ⋅  2025-04-30 10:54
连科半导体8吋/12吋SiC电阻炉及工艺成套技术取得突破
 评论 ⋅  2025-04-29 20:10
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所投影式光刻机采购项目（第二次）公开招标公告
 评论 ⋅  2025-04-29 16:57
阳光电源：公司在做的是电力电子技术协同方面的多元化业务
 评论 ⋅  2025-04-29 16:51
CSPSD 2025前瞻| 电子科技大学乔明：用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战
 评论 ⋅  2025-04-29 15:10
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所投影式光刻机采购项目（第二次）公开招标公告
 评论 ⋅  2025-04-29 11:41
联盟被评为“A级活跃度产业技术创新战略联盟”
 评论 ⋅  2025-04-25 15:56
中国科学院半导体所在二维阵列激光器方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-04-25 13:59
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