性能___半导体产业网

首页 > 新闻资讯 > 搜索

青禾晶元领跑国际，成功研制8寸高性能滤波器用压电材料POI衬底

我国高性能光子芯片领域取得突破可批量制造！

西安8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线项目实现“交地即交证” 总投资45亿元

西安8英寸高性能特色工艺半导体生产线项目争2024年建成投产

CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学巫江：基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备

晶合集成申请半导体器件专利，提升半导体器件的性能

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统

比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率器件专利，有效抑制负阻效应，提高器件性能

新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果

唐为华教授团队通过热重排工程和能带调制实现可调谐的 Ga₂O₃ 日盲光敏性能

中科潞安量产产品性能再升级大功率UVC-LED器件实验室效率破9.5%

中国科学院半导体所荣获北京市自然科学奖一等奖

丰田、本田、电装、瑞萨电子等12家日企宣布合作开发高性能汽车芯片

大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用

金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍

中科院半导体研究所公开一项集成光子芯片专利可提升光模块性能

量子工程材料如何赋能半导体性能提升？

IFWS 2023│大连理工大学王德君：提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径

IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能

IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

性能位居前列！芯生代科技发布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品

厦大曹阳教授团队在单原子层六方氮化硼用于提升析氧反应性能研究方面取得进展

华为全面完成5G-A关键技术性能测试 5.5G商用时代望加速开启

芯聚威科技完成数千万元Pre-A轮融资，专注高性能信号链集成电路产品

拜登政府计划阻止英伟达等出口高性能AI芯片英伟达回应

CASICON 2023深圳前瞻 |托托科技吴阳：第三代半导体装备从器件制造到性能表征

安森美与英伟达合作，将Hyperlux传感器引入NVIDIA DRIVE平台，提升自动驾驶汽车的机器视觉性能

上汽高端纯电SUV智己LS6发布首款搭载准900V双碳化硅高性能平台

西安电子科技大学王逸飞：基于氧化镓材料性能调控及高性能日盲紫外光电探测器的研究

西北工业大学副教授王维佳：可回收光催化剂的结构调控与催化性能研究

第2页/共8页首页下一页上一页尾页

联系客服投诉反馈顶部