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郑州大学物理学院在氧化镓基日盲光电探测方面取得进展
郑州大学物理学院氧化镓基日盲光电探测
 评论 ⋅  2021-10-26 14:12
南方科技大学叶怀宇:碳化硅快充/逆变器的先进微纳金属烧结封装技术
 评论 ⋅  2021-10-09 11:04
深圳大学刘新科：基于氮化镓单晶衬底的半导体器件
 评论 ⋅  2021-10-08 10:59
南方科技大学孙小卫教授团队通过喷墨打印制备出业界寿命最长的量子点发光二极管
南方科技大学孙小卫教授喷墨打印制备业界寿命最长量子点发光二极管
 评论 ⋅  2021-09-29 08:55
山东大学徐现刚教授将出席第四届全国宽禁带半导体学术会议并分享重要报告
 评论 ⋅  2021-09-27 16:46
东北师范大学刘益春校长将出席第四届全国宽禁带半导体学术会议并分享重要报告
 评论 ⋅  2021-09-27 16:44
北京大学沈波教授将出席第四届全国宽禁带半导体学术会议并分享重要报告
 评论 ⋅  2021-09-27 16:41
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转
中国科学技术大学
 评论 ⋅  2021-09-27 15:53
【CASICON 2021】复旦大学樊嘉杰：SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计
 评论 ⋅  2021-09-18 17:26
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-18 14:00
南京大学团队在二维半导体领域取得关键突破！
南京大学二维半导体领域关键突破
 评论 ⋅  2021-09-17 19:32
【CASICON 2021】西安交通大学李强：大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
 评论 ⋅  2021-09-17 16:33
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺：基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】厦门大学梅洋：氮化镓基VCSEL技术进展
 评论 ⋅  2021-09-16 14:44
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
 评论 ⋅  2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：氧化镓功率器件制备与封装技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:53
【CASICON 2021】北京大学杨学林：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
 评论 ⋅  2021-09-16 11:46
澳国立大学研发“世界上最薄”的半导体
 评论 ⋅  2021-09-16 11:41
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯：硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】南京航空航天大学张之梁：1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
 评论 ⋅  2021-09-16 11:17
【CASICON 2021】南京大学叶建东：氧化镓双极型异质结功率器件研究
 评论 ⋅  2021-09-15 15:48
【CASICON 2021】南京大学陈鹏：低开启/超高压GaN肖特基功率器件研究新进展
 评论 ⋅  2021-09-15 15:48
【CASICON 2021】电子科技大学邓小川：极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
 评论 ⋅  2021-09-15 15:20
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：超过SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:40
【CASICON 2021】中国科学技术大学龙世兵：低成本高性能氧化镓功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:32
【CASICON 2021】东南大学教授刘斯扬：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-14 10:30
【CASICON 2021】南京工业职业技术大学雷建明：GaN功率开关器件及其高频电源应用
 评论 ⋅  2021-09-14 09:42
CASICON 2021前瞻：1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
南京航空航天大学张之梁教授1kV宽禁带LLC变换器控制应用
 评论 ⋅  2021-09-11 05:45
西交利物浦大学副教授刘雯将出席2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会
 评论 ⋅  2021-09-09 17:15
厦门大学电子科学与技术学院副院张保平将出席2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会
 评论 ⋅  2021-09-09 16:49
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