首页 > 新闻资讯 > 搜索
郑州大学物理学院在半导体光电器件领域取得突破性进展
郑州大学物理学院石墨相氮化碳g-CN薄膜可控制备光电器件领域
 评论 ⋅  2021-04-23 16:54
砷化镓材料制备工艺
 评论 ⋅  2021-03-09 15:14
第三代半导体材料氮化镓发展历程及制备工艺
 评论 ⋅  2021-01-21 16:57
南京大学刘斌：具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备
 评论 ⋅  2020-12-07 16:01
全球首台：苏大维格大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000投入运行
光刻形貌制备光电子器件结构
 评论 ⋅  2020-07-28 06:40
全球首台：苏大维格大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000投入运行
光刻形貌制备光电子器件结构
 评论 ⋅  2020-07-28 06:40
科研人员制备出具有宽谱带白光发射的非铅钙钛矿胶体纳米晶
制备宽谱带白光发射非铅钙钛矿胶体纳米晶
 评论 ⋅  2020-06-24 07:03
我国碳基半导体制备材料研制获重要突破
 评论 ⋅  2020-06-01 16:56
我国碳基半导体制备材料取得关键性突破
 评论 ⋅  2020-05-28 16:09
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部