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部、财政部联合发布《国家重点研发计划管理暂行办法》
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邀您参加“2024功率半导体器件与集成电路会议”
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大学徐跃杭:金刚石半导体器件可靠性新机制
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大学何艳静:SiC MOSFET浪涌可靠性的研究
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大学刘人宽:基于多层级多场域的压接型IGBT模块失效演化机制研究
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大学巫江:基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备
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数千万元天使轮投资,系FPGA芯片设计企业
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包琦龙:ICT 场景下中低压 (<200V) GaN 器件应用挑战
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刘勇:PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术
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大学叶怀宇:碳化硅先进封装及全铜化技术
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大学张金平:IGBT的技术演进与未来发展趋势
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大学章文通:硅基超结-功率半导体More silicon发展的主力器件
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大学严颖怡:在功率变换器中电流检测的挑战
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大学孙佳慧:肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性
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大学化梦媛:Ga-O原子间势函数及其应用研究
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完成数亿元A+轮融资,国调基金领投
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一批“硬核”新品亮相九峰山论坛
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宣布完成数亿元B轮融资 用于7纳米车规级芯片
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西安封装和测试工厂扩建项目破土动工
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创新引领产业创新,光谷抢跑化合物半导体产业新赛道
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