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台积电和Graphcore准备合作研发3nm AI加速芯片
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处理器
格芯赢得AI芯片业务
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晶体管
电压
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芯片
单元
Transphorm的第二款900 V GaN FET现已投入生产
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氮化
器件
晶体管
伊利诺伊
封装
世界最大AI处理器升级7nm工艺:85万核心、2.6万亿
晶体管
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核心
晶体管
加速卡
翻倍
面积
GaN器件的直接驱动配置
开关
拓扑
晶体管
器件
损耗
更佳
英国Graphcore推出比英伟达更复杂的新款AI处理器
芯片
英伟
该公司
晶体管
并行
人工智能
超高压
晶体管
问世 旨在提高电动车的续航能力和效率
晶体管
电压
氧化
电子器件
电子
氮化
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