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中科院苏州纳米研究所司志伟：助熔剂法氮化镓微碟不同极性面的光学性能
 评论 ⋅  2021-12-23 16:38
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
西安电子科技大学袁海东：β-Ga2O3/2D异质结界面性能调控及其潜在应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:19
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
闻泰科技：安世半导体推出领先性能的氮化镓功率器件 (GaN FET)
 评论 ⋅  2021-11-05 17:24
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件制备技术
 评论 ⋅  2021-10-29 11:57
Wolfspeed 与致瞻科技采用SiC技术提升燃料电池汽车性能
 评论 ⋅  2021-10-19 10:01
奎芯项目落户上海闵行 聚焦高性能计算、人工智能领域
 评论 ⋅  2021-09-27 15:48
【CASICON 2021】安徽芯塔电子科技倪炜江：高性能高压SiC器件设计与技术
 评论 ⋅  2021-09-17 16:12
【CASICON 2021】爱发科左超：量产高性能功率与射频器件的 ULVAC装备技术
 评论 ⋅  2021-09-15 15:59
【CASICON 2021】中国科学技术大学龙世兵：低成本高性能氧化镓功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:32
CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化镓半导体功率电子器件
 评论 ⋅  2021-09-08 11:49
AI设计芯片比人行？ 能让芯片性能提升1000倍在未来10年
 评论 ⋅  2021-08-24 10:12
西安光机所等研制出新一代高性能微通道板
 评论 ⋅  2021-08-20 16:09
南芯半导体完成近3亿元D轮融资
高性能国产电池管理芯片南芯半导体D轮融资
 评论 ⋅  2021-08-16 10:02
Microchip推出新型中等带宽FPGA器件，实现边缘计算系统功率和性能的飞跃
Microchip低密度PolarFireÒ器件静态功耗器件发热区域MicrochipTechnologyInc
 评论 ⋅  2021-08-12 11:08
意法半导体推出高性能GaN系列！面向汽车应用、可靠性更高
 评论 ⋅  2021-05-20 10:14
联发科：冲击高端旗舰水准 做最好的性能和功耗体验
 评论 ⋅  2021-05-18 09:51
未来已来？恩智浦“下一代”高性能、低功率汽车系统
 评论 ⋅  2021-05-11 10:30
浙江大学与沐曦集成电路共建研究中心，目标高性能GPU芯片国产替代
 评论 ⋅  2021-04-27 10:52
Cree | Wolfspeed推出先进X-波段雷达器件，赋能高性能射频功率解决方案
 评论 ⋅  2021-04-14 09:31
日本软银成功试制高性能电池 计划于2023年商用
 评论 ⋅  2021-03-18 10:03
中国电科十三所王元刚：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究
 评论 ⋅  2020-12-15 16:08
湖北大学何云斌:高性能基于氧化镓的日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2020-12-14 17:23
河北半导体研究所周幸叶：紫外探测用高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列
 评论 ⋅  2020-12-08 16:06
湖北大学黎明锴：Hf掺杂SnO2实现高性能日盲紫外光探测器
 评论 ⋅  2020-12-08 16:00
许继电气陈天锦：碳化硅器件在高性能充电系统中的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:28
江苏博睿光电梁超：Y2O3-CaF2对LED用AlN封装基板性能的影响
 评论 ⋅  2020-12-03 18:11
天津工业大学于莉媛：GaN基器件电子辐照诱生缺陷表征和性能分析
 评论 ⋅  2020-12-03 18:02
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