【CASICON 2021】中国科学技术大学龙世兵:低成本高性能氧化镓功率器件

日期:2021-09-14 来源:半导体产业网阅读:346
核心提示:报告重点分析Ga2O3半导体功率电子器件的国内外研究发展现状、发展趋势和面临的挑战。
 氧化镓(Ga2O3)是一种超宽禁带半导体材料,其高击穿场强、高Baliga品质因数、低成本熔融生长技术等突出优点使其在功率器件(SBD、MOSFET、功率IC)领域具有重要的应用。目前国际上对超宽禁带Ga2O3材料和器件领域的研究兴趣倍增,在各发达国家半导体技术前瞻布局中具有重要的战略地位。
龙世兵
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
 
会上,中国科学技术大学微电子学院执行院长龙世兵分享了题为“低成本高性能氧化镓功率器件”的主题报告,报告重点分析Ga2O3半导体功率电子器件的国内外研究发展现状、发展趋势和面临的挑战。
 
嘉宾简介
龙世兵,从事宽禁带半导体器件、存储器的研究。国家杰出青年科学基金获得者,IEEE高级会员。在IEEE EDL等国际学术期刊和会议上发表论文100余篇,SCI他引4000余次,H因子35,5篇论文入选ESI高引论文。主持国家自然科学基金、科技部、中科院等资助科研项目18项。获得年国家技术发明奖二等奖、国家自然科学二等奖、中国科学院杰出科技成就奖。
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