【CASICON 2021】安徽芯塔电子科技倪炜江:高性能高压SiC器件设计与技术

日期:2021-09-17     来源:半导体产业网    
核心提示:报告从材料特性、器件结构、发展现状等方面介绍高性能高压SiC器件的技术及发展趋势,以及芯塔电子在SiC功率器件方面的技术和产品布局。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
倪炜江
会上,安徽芯塔电子科技有限公司总经理倪炜江带来了题为“高性能高压SiC器件设计与技术”的主题报告,报告从材料特性、器件结构、发展现状等方面介绍高性能高压SiC器件的技术及发展趋势,以及芯塔电子在SiC功率器件方面的技术和产品布局。
 
倪炜江表示,公司目前可以提供600-1200V 各种各种型号和规格的SiC肖特基二极管;4英寸、6英寸SiC肖特基二极管的裸晶圆、裸芯片;SiC功率模块和客制化SiC肖特基二极管器件;SiC生产线的建线技术服务,包括设备、工艺、产能和技术规划。基于国产工艺平台、国产外延和自主知识产权的6英寸SiC MOSFET器件( 1200V 40mΩ,80mΩ )。芯塔电子愿与产业链优秀企业和团队深入合作,共同打造基于全国产的第三代半导体产业生态圈。
 
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