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CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森:高可靠GaN基MIS-HEMT
功率器件
与集成
标准 |“GaN HEMT DHTOL、
功率器件
用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
三安半导体“碳化硅
功率器件
的制备方法及其碳化硅
功率器件
”专利公布
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC
功率器件
短路保护的智能功率模块专利,短路保护精度和效率更高
鲁晶半导体与山东大学共建碳化硅
功率器件
产学研合作新生态
闻泰科技:公司预计包括SiC、GaN和IGBT在内的高压
功率器件
和模拟芯片产品将从2025年底开始逐步放量
泰克科技张欣:新型
功率器件
的特性表征 |CASICON重庆站
报告前瞻| 阳光电动力万富翔:新一代
功率器件
并联技术在电驱系统的应用
CASA立项《HEMT
功率器件
用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
长飞先进半导体申请
功率器件
及相关专利,降低功耗
总投资10亿元,芯瓷科技半导体
功率器件
用DPC陶瓷基板项目投产
世界首个采用6.5kV
功率器件
的柔性直流工程成功投运
昌龙智芯半导体
功率器件
项目投资超5亿元
行业Top级厂商齐聚
功率器件
展区!CSE 2025等您来探!
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向
功率器件
专利,提高器件的抗辐照能力
总投资3亿元,深矽微科技
功率器件
封装生产基地项目首批设备正式进场
碳化硅
功率器件
及其封装技术(二)|IFWS&SSLCHINA2024
碳化硅
功率器件
及其封装技术发展探讨(一)|IFWS&SSLCHINA2024
中微公司陈丹莹:PRISMO PDS8–用于SiC
功率器件
外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
平湖实验室何光泽:面向SiC/GaN
功率器件
失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
博睿光电梁超:
功率器件
封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术 | IFWS&SSLCHINA2024
国宇电子
功率器件
项目签约扬州
湖南三安半导体申请
功率器件
专利,可提高钝化层在外围区域的附着力
【IFWS2024】碳化硅
功率器件
及其封装技术分会日程出炉
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向
功率器件
验证
一文解开远山氮化镓
功率器件
实现耐高压的秘密
士兰集宏8英寸碳化硅
功率器件
芯片制造生产线项目预计2025年试生产
远山半导体发布新一代高压氮化镓
功率器件
中车中低压
功率器件
产业化(宜兴)建设项目竣工投产
华羿微电申请高性能 MOSFET
功率器件
外延设计结构专利,降低
功率器件
制造成本
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