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山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
日本开发新技术，可实现GaN垂直导电
 评论 ⋅  2023-11-16 16:59
科研新进展 | 厦门大学张保平教授课题组发表绿光GaN基VCSEL重要成果
 评论 ⋅  2023-11-09 17:12
石墨烯/GaN异质结中的双极性光响应及其在自由空间安全光通信中的应用研究
 评论 ⋅  2023-07-13 10:34
南京大学在GaN基Micro LED研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-06-30 22:51
简述GaN 外延生长方法及生长模式
 评论 ⋅  2023-06-08 16:20
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2023-06-08 09:44
简述金刚石在 GaN 功率放大器热设计中的应用
 评论 ⋅  2023-03-27 11:28
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-03-16 15:12
简述HVPE 法 GaN 单晶掺杂研究新进展
 评论 ⋅  2023-03-08 16:41
简述GaN功率器件应用可靠性增长研究
 评论 ⋅  2023-02-24 15:10
简述选择GaN或SiC器件的重点
 评论 ⋅  2023-01-09 17:08
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
GaN衬底研发获新突破！
 评论 ⋅  2022-12-01 10:25
河工大张紫辉团队在GaN基Micro-LED方面获得新进展
 评论 ⋅  2022-11-28 17:13
浅述GaN功率器件的发展
 评论 ⋅  2022-11-28 15:40
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
简述提高GaN效率的新掺杂技术
 评论 ⋅  2022-11-16 10:25
简述纳微GaNSense技术及专利布局
 评论 ⋅  2022-11-03 17:51
简述使用不同类型GaN FET 设计提高系统设计功率密度
 评论 ⋅  2022-10-10 17:51
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用
 评论 ⋅  2022-09-06 19:28
Wolfspeed：GaN HEMT 大信号模型
 评论 ⋅  2022-08-23 10:55
大阪大学、丰田合成等合作利用Na助熔剂法培育出世界上最大的6英寸高品质GaN晶体
 评论 ⋅  2022-07-25 17:14
6英寸高品质GaN晶体最新进展
 评论 ⋅  2022-07-14 19:16
在纳米图案化蓝宝石衬底（NPSS）上实现AlGaN基高效多量子阱的生长
 评论 ⋅  2022-07-12 14:59
GaN基紫外半导体激光器
 评论 ⋅  2022-07-11 16:53
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