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技术进展|突破性研究:
GaN
-on-Diamond键合界面热阻显著降低
北京大学取得Al
GaN
基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利,显著提升器件的光输出功率
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-
GaN
栅极增强型电力电子器件
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋
GaN
衬底
半导体所研制出室温连续功率4.6W的
GaN
基大功率紫外激光器
北大团队新型器件技术加速
GaN
进入工业与汽车应用
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-
GaN
垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,
能带工程,
光电探测器,
深圳大学,
垂直异质集成
联合攻关成果!1700V
GaN
HEMTs器件研制成功
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热
GaN
器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
金刚石基板上的
GaN
晶体管,散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学
东北大学
金刚石
基板
氮化镓
晶体管
日本开发新技术,可实现
GaN
垂直导电
科研新进展 | 厦门大学张保平教授课题组发表绿光
GaN
基VCSEL重要成果
石墨烯/
GaN
异质结中的双极性光响应及其在自由空间安全光通信中的应用研究
南京大学在
GaN
基Micro LED研究领域取得新进展
简述
GaN
外延生长方法及生长模式
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直
GaN
肖特基势垒二极管
简述金刚石在
GaN
功率放大器热设计中的应用
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗
GaN
功率器件
简述HVPE 法
GaN
单晶掺杂研究新进展
简述
GaN
功率器件应用可靠性增长研究
简述选择
GaN
或SiC器件的重点
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底
GaN
基纵向功率器件
GaN
衬底研发获新突破!
河工大张紫辉团队在
GaN
基Micro-LED方面获得新进展
浅述
GaN
功率器件的发展
北京交大科研团队提出
GaN
器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
简述提高
GaN
效率的新掺杂技术
简述纳微
GaN
Sense技术及专利布局
简述使用不同类型
GaN
FET 设计提高系统设计功率密度
东南大学牵头起草《分立
GaN
HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
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