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中科院苏州纳米所孙钱团队与合作者在
氮化镓
紫外探测领域取得新进展
重磅发布|九峰山实验室GaN系列成果首次发布!
九峰山实验室
GaN
研究成果
8英寸
氮化镓衬底
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体
氮化镓
高效率智能供电芯片
香港科技大学陈敬教授课题组发布多项
氮化镓
、碳化硅的最新研究进展
北大杨学林、沈波团队在
氮化镓
外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
脉冲模式下输出功率超15 W的
氮化镓
蓝光激光器
王新强、王涛团队在褶皱二维
氮化镓
声子研究中取得重要进展
英飞凌率先开发全球首项300mm
氮化镓
功率半导体技术,推动行业变革
我国攻克1200V以上增强型
氮化镓
电力电子芯片量产技术
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型
氮化镓
电力电子芯片量产技术
名古屋大学天野浩团队Nature发文:
氮化镓
的2D-Mg掺杂现象
中国科大孙海定教授和武大刘胜院士Nature Electronics封面论文: 发明新型
氮化镓
光电二极管
北京大学申请p沟道
氮化镓
异质结晶体管及其制备方法专利,实现电流密度的增加
中国科学院微电子所在厚膜
氮化镓
与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型
氮化镓
PN结实现双通道加密光通信应用
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合
氮化镓
和碳化硅二者优点的实验晶体管!
北大团队研发超低动态电阻
氮化镓
高压器件,耐压能力大于6500V
北
超低动态电阻
氮化镓
高压器件
耐压
6500V
金刚石基板上的GaN晶体管,散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学
东北大学
金刚石
基板
氮化镓
晶体管
太原理工大学和武汉大学在金刚石/
氮化镓
薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
苏州纳米所在新型
氮化镓
基光电器件领域取得进展
中科院微电子所:在硅基
氮化镓
横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
南科大化梦媛团队揭示与
氮化镓
晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
MXene范德华接触在
氮化镓
高电子迁移率晶体管中的应用
南科大电子系化梦媛团队揭示与
氮化镓
晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
简述
氮化镓
的合成制备及展望
简述
氮化镓
晶格排列氧化
氮化镓
纳米层的形成及其在电子器件中的应用
氮化镓
栅极驱动专利:RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
硅基
氮化镓
Micro-LED,实现高速可见光通信信号探测
氮化镓
栅极驱动专利:RC负偏压关断技术之松下篇
长平时代发布用于车载电子的900V硅基
氮化镓
外延片
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