俄亥俄州立大学的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力
 评论 ⋅  2023-01-03 15:21
上海微系统所在碳化硅异质集成材料与光子器件领域取得进展
 评论 ⋅  2022-12-30 15:25
中国科大在低维光伏材料点缺陷性质研究中取得新进展
 评论 ⋅  2022-12-30 09:13
清华大学研究团队合作利用激光加工氮化硼实现大规模高性能量子光源
 评论 ⋅  2022-12-28 14:53
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
 评论 ⋅  2022-12-27 16:03
浅谈碳化硅寿命中的挑战
 评论 ⋅  2022-12-22 15:09
硅基氮化镓Micro-LED，实现高速可见光通信信号探测
 评论 ⋅  2022-12-19 18:47
西安交大提出“仿生门控”柔性传感新模式
 评论 ⋅  2022-12-16 17:30
重要发现！3C-SiC有望PK单晶金刚石，成为高导热材料的选择
 评论 ⋅  2022-12-14 20:16
简述低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术
 评论 ⋅  2022-12-14 15:17
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
东风汽车碳化硅功率模块将于2023年实现量产
 评论 ⋅  2022-12-13 15:17
武汉大学袁超研究员：热反射表征技术在宽禁带半导体材料和器件领域的应用进展
 评论 ⋅  2022-12-13 15:10
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决碳化硅层错难题
 评论 ⋅  2022-12-12 15:24
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-12 13:23
复旦大学研究团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管
 评论 ⋅  2022-12-12 11:08
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-12 10:47
GAA 晶体管继任者？复旦大学团队公布CFET新进展！
 评论 ⋅  2022-12-10 19:02
简述电力电子中 IGBT 散热器选型应用
 评论 ⋅  2022-12-09 17:06
上海微系统所在硅基碳化硅异质集成XOI材料领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-09 16:54
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！
 评论 ⋅  2022-12-09 16:14
湖南大学半导体学院在二维半导体超薄介电层集成技术研究取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-09 12:07
补盲激光雷达，角分辨率越小越好吗？
 评论 ⋅  2022-12-09 10:46
武汉大学课题组在宽禁带半导体热表征领域发表综述文章
 评论 ⋅  2022-12-09 10:13
充足的激光雷达视场要多大？补盲激光雷达视场覆盖大揭秘！
 评论 ⋅  2022-12-09 10:08
简述第三代半导体材料和器件中的热科学和工程问题
 评论 ⋅  2022-12-08 11:51
如何优化隔离栅级驱动电路?
 评论 ⋅  2022-12-08 10:38
厦门大学宽禁带半导体研究组在半导体能谷调控方面取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-07 17:23
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-07 14:53
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
 评论 ⋅  2022-12-07 14:48
 «上一页   1   2   …   6   7   8   9   10   …   28   29   下一页»   共843条/29页 
联系客服 投诉反馈  顶部