6月13日，天岳先进 发布公告称，公司于近日收到中国证监会出具的《关于山东天岳先进科技股份有限公司境外发行上市备案通知书》。该公司拟发行不超过87,206,050股境外上市普通股并在香港联合交易所上市。若成功上市，将实现“A+H”的格局。
天岳先进表示，目前公司申请发行境外上市外资股（H股）并上市尚需取得香港证券及期货事务监察委员会和香港联合交易所有限公司等相关政府机关、监管机构、证券交易所的批准，该事项仍存在不确定性。
天岳先进是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一、也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。主营业务是碳化硅半导体材料的研发、生产和销售。
在近期举办的第31届半导体年度奖（Semiconductor of the Year 2025）颁奖典礼上，天岳先进凭借其在#碳化硅 衬底材料技术上取得的突破，获得“半导体电子材料”类金奖。据介绍，这是中国企业自该奖项设立31年以来的首次问鼎，标志着中国在半导体关键基础材料领域实现了历史性重大突破。
