无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利,保证器件的高速开关

日期:2024-10-29 阅读:225
核心提示:国家知识产权局信息显示,无锡博通微电子技术有限公司申请一项名为半桥GaN增强型开关器件及其制备方法的专利,公开号CN 11882501

国家知识产权局信息显示,无锡博通微电子技术有限公司申请一项名为“半桥GaN增强型开关器件及其制备方法”的专利,公开号CN 118825014 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种半桥GaN增强型开关器件及其制备方法。该半桥GaN增强型开关器件包括半桥连接的两个开关元件;两个开关元件水平设置在同一衬底上,其中一开关元件的漏极与栅极分别单独电性引出,源极与另一开关元件的漏极连接并共同电性引出,另一开关元件的栅极和源极分别单独电性引出。该半桥GaN增强型开关器件导电机制为二维电子气,由栅极控制二维电子气的导通和关断,所以器件的栅电荷非常小,能保证器件的高速开关,器件整体呈现半桥连接特性,保证应用灵活性的同时,由于器件制备在同一衬底上,具备高集成度的特点,可以提高系统功率密度。

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