忱芯科技申请碳化硅功率半导体器件的驱动板和测试方法专利

日期:2024-09-27 阅读:257
核心提示:国家知识产权局信息显示,忱芯科技(上海)有限公司申请一项名为一种碳化硅功率半导体器件的驱动板和测试方法的专利,公开号 CN

 国家知识产权局信息显示,忱芯科技(上海)有限公司申请一项名为“一种碳化硅功率半导体器件的驱动板和测试方法”的专利,公开号 CN 118688487 A ,申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示,本申请公开了一种碳化硅功率半导体器件的驱动板,包括隔离电源、测试引脚接口、第一固态继电器和第二固态继电器,其中,测试引脚接口包括Source引脚接口、Drain引脚接口、Gate1引脚接口、Gate2引脚接口和Kelvin source引脚接口,第一固态继电器用于在测试引脚接口接入TO‑247‑3封装的器件时,将隔离电源的副边电源地切换连接到Source引脚,第二固态继电器用于在测试引脚接口接入TO‑247‑4封装的器件时,将隔离电源的副边电源地切换连接到Kelvin source引脚。本方案能够提高不同封装结构器件的测试效率。

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