日前，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶。这标志着，该项目进入投产倒计时，预计于今年6月全面封顶，明年7月投产。长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设，总投资预计超过200亿元。
项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域，致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。项目建成后，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。
项目由中建一局承建，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等，建设周期为578日历天。 建设方介绍，自去年9月开工以来，项目团队克服各种高难度技术问题以及冻雨严寒、高温、暴雨等极端天气影响，圆满完成了深基坑开挖、高大柱施工、高精度楼地面、华夫板、屋面钢桁架吊装等关键工期节点。
项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，产能位居全国前列，将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作，助力武汉打造国内化合物半导体产业高地，吸引世界级碳化硅半导体高端人才来武汉就业创业，助力形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态。
（信息来源 | 长飞先进、湖北日报网）
