振华科技：将大力发展第三代半导体并实现SiC SBD系列产品自制

 振华科技近日在投资者在互动平台表示：“十四五”期间，公司大力发展以SiC、GaN为代表的第三代半导体，SiC方面，未来，公司将具备芯片自主设计、封测能力，实现SiC SBD系列产品自制，同时开展SiC VDMOS系列产品的设计开发工作，形成SiC VDMOS设计能力。