振华科技近日在投资者在互动平台表示:“十四五”期间,公司大力发展以SiC、GaN为代表的第三代半导体,SiC方面,未来,公司将具备芯片自主设计、封测能力,实现SiC SBD系列产品自制,同时开展SiC VDMOS系列产品的设计开发工作,形成SiC VDMOS设计能力。
振华科技近日在投资者在互动平台表示:“十四五”期间,公司大力发展以SiC、GaN为代表的第三代半导体,SiC方面,未来,公司将具备芯片自主设计、封测能力,实现SiC SBD系列产品自制,同时开展SiC VDMOS系列产品的设计开发工作,形成SiC VDMOS设计能力。