安世半导体推出首款 SiC MOSFET

日期:2023-12-05 阅读:689
核心提示:安世半导体(Nexperia)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件,RDS(on)

 安世半导体(Nexperia)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。

NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiCMOSFET 产品组合中首批发布的产品,随后 Nexperia 将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同 RDS(on) 的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高,可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能 SiCMOSFET 的需求。

RDS(on) 会影响传导功率损耗,是 SiC MOSFET 的关键性能参数。安世半导体认为这是目前市场上许多 SiC 器件性能的限制因素。但是通过创新工艺技术,安世半导体的首款 SiC MOSFET 实现了业界领先的温度稳定性,在 25℃ 至 175℃ 的工作温度范围内,RDS(on) 的标称值仅增加 38%。这与市场上其他许多目前可用的 SiC 器件不同。

安世半导体 SiC MOSFET的总栅极电荷(QG)非常低,由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外,安世半导体通过平衡栅极电荷,使QGD与QGS比率非常低,这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。

除了正温度系数外,安世半导体 SiC MOSFET 的 VGS(th) 阈值电压器件间分布差异极低,这使得器件并联工作时,在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外,较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率,同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。

安世半导体未来还计划推出车规级 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 现已投入大批量生产。

打赏
联系客服 投诉反馈  顶部