第三代半导体产业技术创新战略联盟团体标准被评为高质量团体标准

日期:2023-10-20 阅读:571
核心提示:10 月 12 日,美好世界的共同愿景,标准塑造美好生活纪念世界标准日活动在北京歌华开元酒店举行。由北京第三代半导体产业技术创

 10 月 12 日,“美好世界的共同愿景,标准塑造美好生活”纪念世界标准日活动在北京歌华开元酒店举行。由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 015—2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》团体标准被北京标准化协会评为2023 年度高质量团体标准。

T/CASAS 015—2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法,评价器件在承受规定应力的条件下是否符合规定的循环次数。对于提升SiC MOSFET器件的可靠性评价与分析技术能力,支撑SiC MOSFET器件的可靠性改进具有重要意义。

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