7月11日，慕尼黑上海光博会火热开展，同期长光华芯参股公司镓锐芯光签约仪发布式圆满举行。长光华芯携手镓锐芯光，共同进军可见光领域，填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。
苏州长光华芯光电技术股份有限公司董事长/总经理闵大勇致辞，合作成立镓锐芯光符合长光华芯“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略的战略需求和重要实践，进一步拓展了长光华芯半导体激光器芯片的材料体系、波谱范围和市场应用。镓锐芯光团队是国内目前从事蓝绿光激光器研究具有顶尖水平的团队，正处于研究成果产业化转型关键期，我们强强合作，共同开拓可见光领域无限发展前景，填补国内又一项激光领域的“芯”空白。
苏州镓锐芯光科技有限公司董事长/总经理刘建平致辞，感谢各位新老朋友的支持。镓锐芯光的成立对我和我们团队意义重大，我亲历了中国GaN激光器发展全过程。2004年，在中科院半导体所读博期间，我的博士导师杨辉研究员带领团队研制出了国内第一支GaN紫光激光器，我的博士课题也与激光器结构有关。2008年，我在美国佐治亚理工学院做博士后研究期间研制出GaN蓝光激光器。回国后，我在中科院苏州纳米所继续GaN激光器的研究，期间GaN激光器应用渐热，我们团队也成长为GaN激光器研究领域的知名团队，研发的蓝光和绿光激光器光功率分别达到了1.2W和7.5W，填补了国内空白。现在，我们的蓝绿光激光器正式吹响了向产业化进军的号角。我们相信，依托我们领先的GaN激光器技术实力和长光华芯成熟的激光芯片IDM全流程工艺平台和生产线，未来我们必将打破氮化镓激光芯片依赖进口的局面，实现氮化镓激光芯片的国产化替代。
苏州长光华芯光电技术股份有限公司对外投资设立参股公司——苏州镓锐芯光科技有限公司，该公司是在前期由长光华芯和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所联合建设的氮化镓激光器联合实验室基础上成立的成果转化和产业化平台公司，受到中央电视台新闻联播关注报道。
第三代半导体材料（宽禁带半导体）氮化镓（GaN）以及其合金氮化物是直接带隙半导体，其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，蓝光和绿光波段的GaN激光器产品，已经在激光加工（有色金属加工、激光直写）、激光显示（激光大屏电视，XR微投影）、激光照明（车载大灯）、特殊通信等领域具有广泛应用，总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增长趋势。
然而，长期以来，氮化镓激光器芯片产品基本全部依赖进口，是亟需实现自主可控的卡脖子技术。
填补国内空白
镓锐芯光团队是国内最早从事氮化镓基激光器研究的团队，曾先后攻破关键核心技术，研制出国内首颗氮化镓基蓝光和绿光激光器芯片，填补国内在氮化镓的蓝绿光激光器领域的空白，研发成果和技术水平国内领先、国际一流。目前团队研制的绿光激光器光功率已达1.2W，处于国际先进水平。大功率蓝光激光器光功率已达7.5W，达到国际一流水平。
镓锐芯光旨在成为国内第一、国际一流的氮化镓基激光器芯片IDM企业，自主掌握外延设计与材料生长、芯片设计与制造、封装与测试等全流程设计和工艺制造能力，用技术创新推进中国激光产业链的完整性、领先性。
在长光华芯成熟的半导体激光器芯片IDM运行经验和镓锐芯光团队顶尖的技术能力的强强联合下，镓锐芯光必将大大加速国产氮化镓激光器芯片的产业化进程，预计2023年底完成蓝光、绿光芯片产品的工程样片和种子客户验证，2024年建成国内最大的氮化镓激光器芯片量产线并实现包括紫光芯片在内的全系列产品量产出货，助力氮化镓激光器产业高速、高质量发展。
GaN激光器研究进展与应用
7月11日，慕尼黑上海光博会展馆内，苏州镓锐芯光科技有限公司董事长/总经理/研究员刘建平博士在激光技术持续赋能智能制造论坛上做题为《GaN激光器研究进展与应用》主题演讲。
基于自发辐射发光的GaN基蓝光LED已经得到广泛应用，其发明者被授予 2014 年诺贝尔物理学奖。基于受激辐射的氮化镓基激光器也是重要的光电子器件，在激光显示、激光加工、量子信息、水下通信和探测成像等领域有重要的应用前景。
报告介绍了镓锐芯光在氮化镓基激光器的研究进展，包括氮化镓基半导体和ITO透明导电层为光限制层的复合光腔结构GaN基激光器的设计和制备，以及其在提高激光器性能方面的优势；介绍了激光器增益区多量子阱结构设计和材料外延生长，特别是大应变绿光多量子阱有源区的缺陷抑制方法，高量子效率和高均匀绿光有源区生长技术等。因为在器件设计和外延生长等方面的进展，我们研制出大功率激光器，绿光激光器的阈值为1.8 kA/cm2，斜率效率为0.8 W/A，在2A电流下，光功率达到1.2W；连续电流注入下工作，蓝光激光器最大连续工作光功率达到7.5W。
