近年，第三代半导体在多个领域崭露头角。以碳化硅、氮化镓为主的第三代化合物半导体已然成为产业端宠儿，第三代半导体材料与前两代半导体材料相比，其最大的优势是较宽的禁带宽度，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率的电子器件。
作为浑璞投资最新投资的半导体材料厂商，南砂晶圆在碳化硅衬底领域可谓实力强劲。
广州南砂晶圆半导体技术有限公司成立于2018年9月，是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售三位一体的国家高新技术企业。公司以山东大学晶体材料国家重点实验室近年来研发的最新碳化硅单晶生长与衬底加工技术成果为基础，同山东大学开展全方位产学研合作。
早年在蒋民华院士的指导下，长江学者徐现刚特聘教授带领团队历经多年研发，成功突破了碳化硅单晶生长及衬底制备技术，为碳化硅衬底的国产商业化奠定了良好基础。公司产品以6英寸半绝缘和N型碳化硅衬底为主，可视市场需求不断丰富产品线。第三代半导体材料作为新基建的战略性材料，公司将立足奥港澳大湾区，力争发展成为全国乃至全球驰名的碳化硅半导体公司。
N型碳化硅衬底
N型碳化硅衬底主要用于高电压大电流的电子器件，包括肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等，广泛应用于电动汽车、工业电力系统、高铁等领域。
支撑新能源汽车、高铁等动力系统的升级换代
高速轨道交通，如高铁的动力系统采用宽禁带半导体功率模莫块可使系统体积减小20%，重量降低20%,系统损耗降低20%；功率半导体芯片是新能源汽车电控系统的“心脏”约占整车半导体用量的80%，采用宽禁带半导体功率模块可使体积重量减少80%电能转换效率提升20%。
支撑能源技术升级，实现特高压输变电技术国际引领
国家正在推动新能源大规模开发利用和新型用电设施发展,碳化硅器件是满足万伏千安电网变电技术需求的唯一功率半导体器件，可使系统体积减小40%能量损耗减少50%；属于通信基础设施的5G基站网络整体能耗是4G的10倍，而数据中心电能损耗超过总运营成本40%；宽禁带半导体功率模块使5G基站和数据中心电源变换损耗减少30%。
半绝缘型碳化硅衬底
半绝缘型碳化硅衬底主要用于微波射频器件，如高电子迁移多率晶体管(HEMT)，具有大功率密度、耐高温、抗辐射等优点，广泛应用于5G通讯、物联网等领域。
支撑新一代移动通信系统核心器件的自主可控
相对于Si基和GaAs基射频器件，具有更高功率、更高效率、 更高工作温度和抗辐射能力，是迄今最 具优势的半导体射频电子器件；同时实现高频、高效、宽带、大功率的唯一 半导体材料，应用于5G移动通信、物联网、人工智能等领域。
碳化硅晶体主要加工为碳化硅衬底
浑璞投资表示：“非常看好南砂晶圆在碳化硅衬底的成就和发展，非常认可以徐现刚教授为首的研发团队的能力，非常认同管理团队的理念和企业的战略规划，期待南砂晶圆为碳化硅衬底国产化贡献出自己的一份力量。”
