据悉，英诺赛科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出货量已突破1亿。
据化合物半导体市场了解，英诺赛科的8英寸晶圆产线自2019年开始大规模生产，并于2021年成为全球首家实现8英寸硅基GaN量产的企业，产能足以支撑全球市场对GaN FETs的强劲需求。2022年，英诺赛科的销量成功突破1亿。
英诺赛科首席营销官冯雷博士表示，这在行业里是第一次，具有里程碑式的意义，也验证了英诺赛科GaN器件的质量和可靠性。
除了销量出众之外，英诺赛科在2022年期间也做了几番大事。一方面，英诺赛科通过在美国、欧洲、韩国、中国台湾及日本设立市场营销及客户支持中心，顺利并快速地开展国际业务。另一方面，英诺赛科在国内完成了30亿元的D轮融资，8英寸硅基GaN器件的技术研发、产品生产、市场拓展等全面提速。
这一年，英诺赛科也在不断完善产品组合，推出多个新的产品系列，现已覆盖30-150V、650V。以Bi-GaN为例，一颗Bi-GaN就能替代共漏连接的背靠背两颗NMOS，实现电池的充电和放电电流的双向开关，使相同占板面积下的导通电阻降低50%，温升降低40%，提高手机内部空间利用率。目前，OPPO、realme均已导入英诺赛科的Bi-GaN产品。
另外，在电动汽车应用领域，英诺赛科珠海工厂已通过汽车认证，预计将在2024年生产用于汽车应用的8英寸硅基GaN器件。目前，珠海工厂GaN晶圆月产能为4000片，到2025年，珠海和苏州两大基地的月产能预计可达70000片左右。
目前，国内已有顶级车载激光雷达客户采用了英诺赛科的GaN器件。除此之外，英诺赛科也已开始联合国内及韩国的大型Tier 1厂商共同研发GaN车用项目。
总的来说，今年，英诺赛科在各方面取得了突破性的进展。接下来，随着GaN技术逐步打开电动汽车、光伏储能、智能电网、工业电源等领域的应用空间，英诺赛科将在产能规模、客户群不断扩大的基础上，进一步提升产品销量和市场占有率。
