振华科技拟建设12万片/年6英寸SiC/Si功率器件产线

日期:2022-12-02 阅读:558
核心提示:11月29日,振华科技在投资者互动平台上表示,公司现有芯片设计和制造水平满足目前生产实际;下一步公司将采用定增的方式实施半导

11月29日,振华科技在投资者互动平台上表示,公司现有芯片设计和制造水平满足目前生产实际;下一步公司将采用定增的方式实施半导体功率器件产能提升等多个项目,其中拟建设一条12万片/年产能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造线。

日前,振华科技宣布拟募资不超过25.18亿元用于建设半导体功率器件产能提升项目、混合集成电路柔性智能制造能力提升项目、新型阻容元件生产线建设项目、继电器及控制组件数智化生产线建设项目、开关及显控组件研发与产业化能力建设项目以及补充流动资金。

其中,半导体功率器件产能提升项目总投资7.9亿元,由振华永光实施,振华永光现有4英寸线已经无法满足产能需要,拟建设一条12万片/年产能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造线,主要生产6英寸功率半导体、陶瓷封装功率半导体器件、金属封装功率半导体器件和塑料封装功率半导体器件等产品。

据悉,振华科技主业经过持续的结构调整、转型升级,现已向核心业务新型电子元器件高度集中。IGBT及其模块、船用真空开关管、微波芯片电容、宇航级熔断器、大功率接触器、气密封微动开关和LTCC滤波器等高端产品取得实质突破,进一步丰富中高端产品技术内涵;超级电容模块、宇航级电容器、宇航级电阻器、温补衰减器、MIS硅电容、插件功率电阻等一批新产品实现供货。

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