基本半导体宣布完成数亿元C4轮融资,器件产品累计出货超2000万颗

日期:2022-09-23 来源:半导体产业网阅读:526
核心提示:基本半导体宣布完成数亿元C4轮融资,由德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资。
半导体产业网获悉:9月23日,基本半导体宣布完成数亿元C4轮融资,由德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资,现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。
 
本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力,提升产能规模,支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用,提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。
基本半导体
据了解,基本半导体创立于2016年,研发方向是第三代半导体碳化硅功率芯片及模块,覆盖材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节,核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞典皇家理工学院、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。公司总部位于深圳,在北京、上海、南京、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。在无锡投产了汽车级碳化硅功率模块专用产线,2025年预计产能达到400万只模块,将有力支持车企实现电机控制器从硅到碳化硅的替代。
 
基本半导体掌握领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节,累计获得两百余项专利授权,核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等,性能达到国际先进水平,服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。

同时,基本半导体的优势一方面在于产品创新,所研发的第三代650V、1200V系列碳化硅二极管和混合碳化硅分立器件,实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸和更强的浪涌能力。此外,在汽车级碳化硅功率模块方面,基本半导体的半桥MOSFET模块Pcore2、三相全桥MOSFET模块Pcore6、塑封半桥MOSFET模块Pcell等产品采用银烧结技术,综合性能达到国际先进水平。
在9月15日,埃安发布了Hyper SSR超跑,Hyper SSR超跑百公里加速1.9s,打破超跑2秒加速性能极限,搭载埃安独创的两挡四合一高性能电机,采用高铁同款900V碳化硅芯片,能够实现12000牛·米的轮上峰值扭矩,最大输出功率可以达到900千瓦,带来1.7G堪比火箭发射的强劲推背感;1225匹的综合马力,比F1赛事标准还要高出1.5倍。埃安独创的两档四合一高性能电机选用基本半导体汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore6,该碳化硅模块支持900V的工作电压,可使电机工作频率提高2.5倍,同时降低80%的功率损耗。
Pcore6汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片,是基本半导体的一款旗舰型产品。该模块专为混合动力和电动汽车核心牵引驱动器高性能、高效率应用需求而设计,结构非常紧凑。
 
作为国内碳化硅功率器件行业领军企业,基本半导体研发覆盖碳化硅材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链,并建立了完备的国内国外双循环供应链体系。公司自研的碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等核心产品,性能达到国际先进水平,器件产品累计出货超过2000万颗。目前,基本半导体正和国内外多家头部车企及电机控制器Tier1企业进行测试开发,并已获得多家客户的定点。公司2021年通线的无锡汽车级碳化硅功率模块封装产线也已进入量产阶段。

据了解,基本半导体于2021年9月完成C1轮融资,由松禾资本等机构联合投资。2022年6月完成C2轮融资,由广汽资本、润峡招赢、蓝海华腾等机构联合投资。2022年7月1日,基本半导体完成C3轮融资,由粤科金融和初芯基金联合投资。
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