晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅晶体,将提升在第三代半导体材料端的竞争力

日期:2022-09-02 来源:半导体产业网阅读:513
核心提示:目前公司已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体,并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线,实验线产品已通过下游部分客户验证,公司将持续加强技术创新和工艺积累,实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控,进一步提升公司在第三代半导体材料端的竞争力。
半导体产业网讯:近日,晶盛机电(300316)表示,大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向,在8英寸碳化硅晶片尚未实现产业化的情况下,6英寸碳化硅晶片将成为市场主流产品。在下游市场需求快速增长和技术进步的驱动下,国内碳化硅产业将迎来快速发展期。
 
      晶盛机电是一家国内领先的专注于“先进材料、先进装备” 的高新技术企业,以“打造半导体材料装备领先企业,发展绿色智 能高科技制造产业”为使命,围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半 导体材料展开。在硅材料领域,公司专注于光伏和集成电路领域两 大产业的系列关键设备和核心的辅材耗材,公司在光伏产业链装备 取得了行业认可的技术和规模双领先的地位。
 
       晶盛机电(300316)透露,目前公司已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体,并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线,实验线产品已通过下游部分客户验证,公司将持续加强技术创新和工艺积累,实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控,进一步提升公司在第三代半导体材料端的竞争力。
 
       晶盛机电表示,公司大尺寸蓝宝石晶体生长工艺和技术已达到国际领先水平。第五代新型单晶炉即将于2023年重磅上市,为行业注入全新动力。公司产品在半导体和光伏领域均取得了较高市场份额,目前整体供不应求,公司也在加速相应的产能扩建。
 
  报告期内,公司实现营业收入43.7亿元,同比增长91.02%,净利润12亿,超过100%,其中设备及服务营业收入35.7亿元,同比增长83.78%;材料业务营业收入5.5亿元,同比增长144.00%。截至2022 年6月30日,公司未完成设备合同总计230.40亿元,其中未完成半导体设备合同22亿元。
 
  在半导体8-12英寸大硅片设备领域,公司产品在晶体生长、切片、抛光、外延等环节已实现8英寸设备的全覆盖,12英寸长晶、切片、研磨、抛光等设备也已实现批量销售,产品质量已达到国际先进水平。
 
  蓝宝石材料方面,公司大尺寸蓝宝石晶体生长工艺和技术已达到国际领先水平,目前已成功生长出全球领先的700Kg级蓝宝石晶体,并实现300Kg级及以上蓝宝石晶体的规模化量产,是掌握核心技术及规模优势的龙头企业。
 
  碳化硅材料方面,公司已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体,并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线,实验线产品已通过下游部分客户验证,公司将持续加强技术创新和工艺积累,实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控,进一步提升公司在第三代半导体材料端的竞争力。
 
  在辅材耗材领域,公司高品质大尺寸石英坩埚在规模和技术水平上均达到了行业领先水平,在半导体和光伏领域取得了较高的市场份额。同时,公司在金刚线领域实现了差异化的技术突破。
 
  关于第五代单晶炉的情况,晶盛机电表示,公司开发的第五代新型单晶炉除了配置有更强大的硬件引擎之外,其最大的亮点在于改变了传统的封闭控制系统模式,配置了基于开放架构的用户可编程的软件定义工艺平台,提供可自行构建工艺时序、控制逻辑、核心算法的自主创新条件。将软件开发权交给客户,助力客户在技术上持续创新,不断提升竞争力。第五代单晶炉为光伏产业开辟了自研设备和通用设备外的平台设备+专有技术的新局面,为客户差异化竞争提供新的解决方案。第五代新型单晶炉即将于 2023 年重磅上市,为行业注入全新动力。
 
  石英坩埚方面,公司于 2017 年开始布局石英坩埚,并在浙江、内蒙和宁夏建立生产基地,实现了规模化生产,可提供半导体和光伏用的高品质大尺寸石英坩埚。公司产品在质量和技术水平领先,尤其是在气泡密度、产品一致性等参数指标控制上取得了下游客户和行业的认可。公司产品在半导体和光伏领域均取得了较高市场份额,目前整体供不应求,公司也在加速相应的产能扩建。
 
  石英砂供供应方面,公司使用的高纯石英砂以海外进口为主,同时也采购部分高质量国产石英砂。公司根据行业发展趋势,基于供需关系提前做了相关战略分析和市场预测,调整供应链战略,与供应商协同进行战略储备,强化供应链保障。
 
  据晶盛机电介绍,碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越物理特征,在新能源汽车、新能源发电、轨道交通、航天航空、国防军工等领域的应用有着不可替代的优势。碳化硅单晶材料主要分为导电型衬底和半绝缘衬底两种,其中,在导电型衬底上生长碳化硅外延层,可进一步制成功率器件,并应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域;在半绝缘型衬底上生长 GaN 外延层,可进一步制成微波射频器件,应用于 5G 通讯、雷达等领域。
 
       目前,新能源汽车、光伏和充电基础 设施是碳化硅的主要应用领域,新能源汽车和光伏发电市场的蓬勃 发展带动了碳化硅市场需求的快速增长,根据Yole数据,2021年 全球碳化硅器件市场规模约10亿美元,预计到2027年,碳化硅器件的市场规模将超过70亿美元。市场成长空间巨大。 
 
      碳化硅材料因其技术含量高而呈现难度大、良率低、制作成本 高的特点,目前先进技术及主要市场均被国外厂商占据。国内碳化 硅材料领域的研究从20世纪90年代末开始起步,但受技术门槛较 高、良率低、成本高的因素制约,发展进程缓慢,导致行业的整体 产能远不及市场需求,国内碳化硅衬底主要依赖进口。目前国际上主要量产衬底尺寸集中在4-6英寸,先进厂商已研发出8英寸衬底 产品。国内目前实现量产主要为4英寸,6英寸产能尚处于起步阶段。为提高生产效率并降低成本,大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向,在8英寸碳化硅晶片尚未实现产业化的情况下,6 英寸碳化硅晶片将成为市场主流产品。在下游市场需求快速增长和技术进步的驱动下,国内碳化硅产业将迎来快速发展期。 ?
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