苏州纳维总部大楼荣耀封顶!预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片以上

日期:2022-08-13 阅读:799
核心提示:半导体产业网获悉:2022年8月10日上午,万里晴空,惠风和畅。在热闹的礼炮与纷飞的金片中,各位股东代表、基建单位代表以及合作
半导体产业网获悉:2022年8月10日上午,万里晴空,惠风和畅。在热闹的礼炮与纷飞的金片中,各位股东代表、基建单位代表以及合作方代表莅临苏州纳维,共同见证纳维科技研发和生产总部大楼荣耀封顶。
 
 
 
封顶仪式上,鞭炮齐鸣,掌声雷动,前来参加仪式的有关领导移步至楼顶,拿起象征着八方来财的金铲,随着倒计时开始,金铲齐开,扬起泥土,为纳维科技大楼金铲封顶。至此,第一阶段施工任务顺利完成,项目工程建设迈入新的阶段。在未来的日子里,全体纳维人必将更加努力,助力第三代半导体产业的蓬勃发展。
 
 
 
以氮化镓、碳化硅等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料,凭借其高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,具有巨大的市场前景,正成为全球半导体市场争夺的焦点,国内外第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈现较高增长态势。纳维科技总部大楼建设项目占地面积超14000 平方米,总建筑面积超 34000 平方米,将建设成为国际前三的氮化镓(GaN)单晶衬底研发与生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片以上。
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