中微公司发布半年报 营收较上年同期增长 47.30%

日期:2022-08-11 阅读:396
核心提示:半导体产业网讯 8月11日,中微公司发布2022年半年度报告,2022年上半年度营业收入较上年同期增长47.30%,主要系2022年上半年公司
半导体产业网讯  8月11日,中微公司发布2022年半年度报告,2022年上半年度营业收入较上年同期增长47.30%,主要系2022年上半年公司营业收入和毛利同比均有大幅增长。
报告显示,公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿,基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术,涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产,公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD 设备及其他设备2022年6月底,公司设备累计付运台数达2654个反应台,在客户73条生产线全面量产。
 
1、刻蚀设备技术
在逻辑集成电路制造环节,公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备已运用在国内外知名客户 65 纳米到 5 纳米及更先进的芯片生产线上;同时,公司根据先进集成电路厂商的需求,已开发出 5 纳米及更先进刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求,开发新一代刻蚀设备和包括大马士革在内的刻蚀工艺,能够涵盖 5 纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。
 
在 3D NAND 芯片制造环节,公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于 64 层、128 层及更高层数 NAND 的量产,同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖 200 层以上极高深宽比的关键刻蚀应用以及其他关键刻蚀应用的刻蚀设备和工艺。此外,公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产,根据客户的技术发展需求,正在进行下一代产品的技术研发,以满足 5 纳米以下的逻辑芯片、1X 纳米的 DRAM 芯片和 200 层以上的 3D NAND 芯片等产品的刻蚀需求,并进行高产出的电感性等离子刻蚀设备的研发。
 
2、MOCVD 设备技术
公司的 MOCVD 设备 Prismo D-Blue®、Prismo A7®能分别实现单腔 14 片 4 英寸和单腔 34 片4 英寸外延片加工能力。公司的 Prismo A7®设备已在全球氮化镓基 LED MOCVD 市场中占据领先地位。公司研发了用于制造深紫外光 LED 的高温 MOCVD 设备 Prismo HiT3®,已在行业领先客户端用于深紫外 LED 的生产验证并获得重复订单;用于 Mini LED 生产的 MOCVD 设备Prismo UniMax®,实现了单腔 41 片 4 英寸外延芯片加工能力,发光波长的均匀性达到 1s 0.8
纳米。该设备已在领先客户端开始进行规模生产,并取得 180 台的客户订单;制造硅基氮化镓功率器件用 MOCVD 设备已在客户芯片生产线上验证;此外,制造 Micro LED 应用的新型MOCVD 设备以及用于碳化硅功率器件应用的外延设备等也正在开发中。
 
3、低压化学气相沉积设备(LPCVD)技术
公司所开发的 LPCVD 设备具有创新的设计,独立的知识产权和优秀的阶梯覆盖率和填充能力,能够满足先进逻辑器件接触孔填充应用,以及 64 层、128 层和 200 层以上 3D NAND 中的多个关键应用,目前已通过关键客户的工艺验证,并积极推进设备在客户产线进行量产验证。公司还在持续研发新的填充工艺方案,以满足更高深宽比接触孔及沟道电极的需求。公司的原子层沉积设备的研发也在积极推进中,所开发的设备能够满足先进存储器件和逻辑器件金属阻挡层的
应用,以及先进逻辑器件中金属栅极的应用。
 
4、外延设备(EPI)技术
面向 28 纳米及以下的逻辑器件、存储器件和功率器件等的广泛应用,公司正在开发拥有自主知识产权的外延设备(EPI),以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。产品有极其创新的外延反应器设计,能够实现最佳的气流场均匀性和高温加热均匀性,也有独特的预清洁反应器设计,能够达到极佳的表面清洁效果。目前该设备研发进展顺利,已进入样机的制造和调试阶段。
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