长鑫存储公开多项专利,半导体光刻补偿方法专利为其中之一

日期:2022-06-29 阅读:473
核心提示:近日,长鑫存储技术有限公司公开多项专利,其中一条名称为“半导体光刻补偿方法”。
半导体产业网获悉,近日,长鑫存储技术有限公司公开多项专利,其中一条名称为“半导体光刻补偿方法”,公开号为CN114675505A。
 
专利摘要显示,本申请实施例属于半导体制造技术领域,具体涉及一种半导体光刻补偿方法,包括:通过机台组合对晶圆进行光刻,机台组合至少包括第一机台和第二机台;通过第一机台进行光刻得到第一曝光结构;获取第一曝光结构的套刻误差的第一测量值;根据第一测量值对第二机台的初始下货值进行补偿。在进行半导体结构的制作过程中,可以通过测量第一机台加工形成的第一曝光结构的套刻误差,将第一测量值对第二机台的初始下货值进行补偿,以便得到第二机台的最优下货值,后续第二机台进行光刻时,第二机台根据其最优下货值进行光刻加工,有利于保证后续第二机台加工形成的曝光结构的套刻误差准确性,从而减少重工次数。 
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