国产BAW滤波器知名企业武汉敏声完成近6亿元B轮融资

日期:2022-06-27 阅读:578
核心提示:国产射频前端BAW滤波器行业知名企业武汉敏声新技术有限公司(以下简称“武汉敏声”或“公司”)于武汉举办B轮融资签约仪式暨MEMS产业交流会,正式宣布完成近6亿元B轮融资。
半导体产业网获悉:6月25日,国产射频前端BAW滤波器行业知名企业武汉敏声新技术有限公司(简称“武汉敏声”)举办B轮融资签约仪式暨MEMS产业交流会,宣布完成近6亿元B轮融资。
 
本轮融资由金融街资本、慈星股份共同领投,长江创新、建信投资、国铁建信、国投长江、建发基金、湖北高质量基金等国资基金,以及中珈资本、瑞江投资等社会资本跟投。本轮融资资金主要用于增添工艺设备,加速产品量产。
武汉敏声(MEMSonics)由武汉大学孙成亮教授联合14名国际知名业内专家于2019年共同创立,于2020年10月正式运行。2021年4月全部专家回国并全职到岗,公司进入快速发展阶段,截至2022年6月,公司已有逾100名员工。武汉敏声致力于射频前端滤波器制造及其产品应用方案的实施,产品同时覆盖压电式麦克风以及超声传感器等MEMS器件,是一家集设计、生产、销售为一体的IDM/CIDM公司。公司在武汉、苏州、北京、新加坡等多地布局设立研发设计中心、产品中试平台及大规模量产基地。
 
武汉敏声自有知识产权的无线射频前端体声波滤波器(BAW)属于射频滤波器中技术门槛和价值量较高的产品,该类产品市场应用空间广阔,长期被国外厂商垄断,其所属的射频器件领域是制约我国工业发展的35项“卡脖子”关键技术之一。凭借核心团队多年的技术沉淀和制造经验,武汉敏声经过一年多的飞速发展,自主开发技术完成多款BAW滤波器的正向研发,产品性能指标经多次测试,已达到商用标准。同时,公司根据市场需求和产业技术发展趋势,积极布局下一代更高频段射频滤波器系列产品的研发,产品覆盖低、中、高全频段范围,以满足客户不同需求。
 
武汉敏声具备正向研发IP的全面技术实力,在产品IP设计、工艺技术路线上均具有完全的自主知识产权,公司已申请近160项发明专利,已授权发明专利51项,建立了独有的专利护城河。同时,公司在高频大带宽滤波器技术领域布局数十项核心专利,独辟蹊径的PBAR大带宽技术在2—8GHz频率范围有巨大竞争优势。
 
公司拥有完整的IDM/CIDM团队,包括顶尖的芯片设计应用专家与工艺制程专家。公司核心团队来自新加坡微电子研究院(IME)、格罗方德、台达电子、长江存储、村田中国等全球知名企业或科研院所,人员涵盖设计、材料、制程、封装、测试等各领域。在国产BAW滤波器领域严重缺乏具备丰富工艺制程经验的人才的环境下,武汉敏声核心团队具有平均10年以上的8英寸氮化铝平台MEMS滤波器制造与设计经验,为公司带来极具竞争力的优势。
 
滤波器的制造和工艺壁垒非常高,需要长时间的摸索积累,基于核心团队在8英寸氮化铝平台上具备丰富实战经验,武汉敏声已与战略合作方共同投入资源联合共建8英寸射频滤波器大规模量产线,预计2022年底实现通线,公司有望成为国内率先实现体声波滤波器(BAW)自主量产的企业。
 
武汉敏声董事长孙成亮表示:“衷心感谢所有新老股东及合作伙伴的关注与支持,助力敏声的飞速成长!感谢产业链相关企业蓬勃发展,扩大射频滤波器市场增量空间!感谢业界同行的齐头并进,共同推进国产化射频芯片产业发展之路!未来,武汉敏声将不断追求卓越,超前布局前沿技术研究,争做国内射频滤波器行业领跑者,打造射频MEMS中国头部企业,与国产业界各方共同努力夺取射频滤波器国际市场新高地。”

创始人介绍:
 
创始人孙成亮博士  董事长
国家重点研发计划首席科学家
 
武汉大学工业科学研究院教授、博士生导师。主要从事压电氮化铝薄膜材料与器件研发,先后在香港理工大学、美国匹兹堡大学、美国威斯康辛大学、新加坡微电子研究院学习和工作十三年,拥有国际专利6项,其中1项已成功技术转让。回国后,主持基于氮化铝薄膜MEMS研发项目14项(约合7500万人民币),发表SCI论文60余篇,国内发明专利120余项,31项已授权。曾获新加坡工程院“杰出工程成就奖”、新加坡科技研究局“航空航天计划成就奖”、“湖北省五一劳动奖章”等。
 
徐红星院士 首席科学家
中国科学院院士
物理学家
 
武汉大学微电子学院院长、教授、博士生导师。主要从事等离激元光子学、分子光谱和纳米光学的研究。主要包括:单分子的物理化学性质,单分子操控及器件的研究;表面增强光谱;复杂金属纳米结构的表面等离体学;表面等离子体光学传感器;近场光学的理论模拟与计算。
 
李春江 副总经理
 
2003年开始从事泛半导体行业,作为中国最早从事6英寸化合物半导体生产线建设及运营人员,从2012年起深耕射频领域,参与编写中移动5G联创中心发布的5G射频前端白皮书,主导公司获得全省第一家国家集成电路重大项目企业,市科技进步二等奖,新经济百名优秀人才,多次在集成电路产业促进大会、世界半导体大会、Semicon China论坛讲解化合物半导体与5G通信。累计已申请化合物半导体专利16项,其中发明专利10项,拥有国际TRIZ二级认证。

国世上博士 声学专家
 
武汉大学教授,博士生导师,武汉大学本科和博士,先后在香港和法国进行科研工作。长期从事压电铁电材料与器件研究,在声表面波器件方面有近20年的经验。先后承担国家级和省部级课题十余项,发表SCI论文近百篇,授权发明专利十余项。
 
吴国强博士 设计与制程专家
 
中科院上海微系统与信息技术研究所工学博士。曾任新加坡科技局微电子研究院项目负责人。主持包括国家自然科学基金、国家重点研发计划课题等科研项目共10项,总计科研经费超过3000万人民币。已发表学术论文40余篇,获取授权发明专利15项,其中美国专利2项。
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