重磅发布 | 新一代SiC晶体生长炉,突破行业核心需求

日期:2022-05-02 来源:半导体产业网阅读:946
核心提示:恒普科技推出SiC感应晶体生长炉的新一代技术平台,突破SiC行业晶体长不快、长不厚,长不大的三大缺点,解决行业核心需求。
半导体产业网消息:2022年4月,恒普科技推出SiC感应晶体生长炉的新一代技术平台,突破SiC行业晶体长不快、长不厚,长不大的三大缺点,解决行业核心需求。
重磅发布 | 新一代SiC晶体生长炉,突破行业核心需求
随着电动汽车的碳化硅车型的陆续密集推出,带动当下SiC器件需求的井喷。在未来一段时间内SiC衬底的供应依然无法满足市场的需求。
 
而当下国内主流的SiC晶体生长速度在0.1~0.2mm/h,晶体厚度在15~25mm,晶体尺寸从4英寸全面向6英寸切换。国际上主流的SiC晶体生长的速度在0.2~0.3mm/h,晶体的厚度30~40mm,晶体尺寸由6英寸转向8英寸。
 
无论是技术追赶,还是市场需求,在晶体质量(缺陷等)保证的前提下,把SiC晶体长快、长厚、长大,都是行业急迫需要解决的核心需求。
 
在这个背景下,恒普科技推出新一代感应发热技术平台,并以新技术平台为基础,推出了2款感应式SiC晶体生长炉,解决SiC晶体长不快、长不厚、长不大的缺点。
重磅发布 | 新一代SiC晶体生长炉,突破行业核心需求
新感应晶体生长平台特点(部分):
 
1、全尺寸
 
●同时推出6英寸、8英寸的2款炉型,满足行业晶体尺寸加大的需求。
 
2、无籽晶托或超薄籽晶托
 
●自由热膨胀,利于应力的释放,减少由应力产生的缺陷。
 
●料区与籽晶区,更灵活的温度梯度调节。
 
3、固定式水平线圈
 
●无需调节线圈的轴向移动,减少工艺变量,提高工艺稳定性。
 
●对籽晶区的温场做到更精细的调整,使温度更均衡。
 
4、新热场
 
●装入更多原料,且利用率高。
 
●料区温度分布对长晶影响的敏感度下降。
 
●增加了蒸发面积,可在超低压力下生长。
 
●传质效率提高且稳定,降低再结晶影响(避免二次传质)。
 
●减少边缘缺陷的扩径技术。
 
生长后期,降低碳包裹物的影响。
 
5、先进技术
 
新炉型标准配置了,温度闭环控制与高精度压力控制等先进技术。
 
a.温度闭环控制
 
SiC晶体在2000℃以上的高温下生长,对温度的稳定性要求极高,但由于SiC粉料挥发等原因,无法做到温度控制,而是采用功率控制(或温度控制+功率控制组合),恒普科技的新技术就解决了这个痛点。
 
b.高精度压力控制
 
SiC晶体生长炉在晶体生长时,通常压力控制的波动在±3Pa,恒普科技的新技术可以将压力控制在±0.3Pa,提高了一个数量级。
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宁波恒普真空科技股份有限公司 是一家以材料研究为基础,以高温热场环境控制为技术核心的金属注射成形(MIM)领域和宽禁带半导体领域的关键设备供应商,主要从事金属注射成形(MIM)脱脂烧结炉、碳化硅晶体生长炉、碳化硅同质外延设备等热工装备的研发、生产和销售。
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