东微半导成功登陆科创板 募资9.39亿元加码功率器件

日期:2022-02-11 阅读:459
核心提示:2月10日,苏州东微半导体股份有限公司(简称东微半导)正式登陆科创板,股票代码为688261。东微半导本次公开发行股票数量为1684.
2月10日,苏州东微半导体股份有限公司(简称“东微半导”)正式登陆科创板,股票代码为“688261”。东微半导本次公开发行股票数量为1684.41万股,发行价格为130元/股。《经济参考报》记者注意到,报告期(指2018年、2019年、2020年和2021年1-6月,下同)内,东微半导业绩整体呈稳健增长态势,此次上市欲围绕主营业务发展,致力于成为国际领先的功率半导体厂商。
 
业绩整体增长稳健 产品性能优异
 
据招股书介绍,东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力,东微半导集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。
 
财务数据显示,东微半导报告期内实现营业收入分别为15289.99万元、19604.66万元、30878.74万元和32082.43万元,同期实现归母净利润分别为1297.43万元、911.01万元、2768.32万元和5180.53万元,整体呈增长趋势。此外,东微半导还预计2021年度实现营业收入为77200万元至80300万元,同比增长150%至160%;预计2021年度实现归属于母公司所有者的净利润为13200万元至15300万元,同比大增377%至453%。
 
《经济参考报》记者注意到,报告期内,东微半导的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET等。东微半导的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。此外,东微半导还不断进行技术创新,进一步开发了超级硅MOSFET、TGBT等新产品。
 
目前,东微半导产品的终端应用聚焦在工业级领域,同时也广泛应用在消费级领域。公司已在前述领域积累了全球知名的品牌客户群,并已成为部分行业领先客户认证的国产供应商之一;在工业及汽车相关应用领域,东微半导积累了英飞源、英可瑞、特锐德等新能源汽车直流充电桩领域的终端用户,华为、维谛技术、麦格米特等5G基站电源及通信电源领域的终端用户,以及高斯宝、金升阳、雷能等工业电源领域的终端用户;在消费电子领域,公司积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、美的、创维等。
 
根据市场研究机构Omdia数据显示,以2019年销售额计,东微半导在全球MOSFET功率器件市场中位列中国本土厂商前十位。在产品性能方面,东微半导的主要产品GreenMOS系列产品通过自主器件设计和工艺优化,成功解决了常规超级结MOSFET所存在的成品良率低、开关波形震荡等技术问题,同时其性能也达到了国际先进水平。基于多年的技术积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户服务能力,东微半导已成为国内领先的高性能功率器件设计厂商。
 
研发投入持续增长 研发体系较为完善
 
持续不断的研发投入,是东微半导业绩稳健增长的基石。报告期内,东微半导所投入的研发费用分别为1603.83万元、1202.58万元、1599.36万元和1650.12万元,分别占当期营业收入的10.49%、6.13%、5.18%和5.14%,研发投入持续增长。同时,东微半导高度重视技术团队的建设,已建立起了完善的研发团队及体系。截至2021年6月30日,公司研发部共拥有31名研发人员,占员工总数的46%。
 
据招股书介绍,东微半导的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年,具有丰富的研发经验,并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。东微半导核心技术人员较强的研发能力,保证了公司的技术敏锐度和研发水平,确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势,能够满足客户终端产品的创新需求。
 
在技术水平方面,东微半导在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术,产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商媲美的水平。在中低压领域,东微半导亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术,产品的关键技术指标达到了国内领先水平。
 
《经济参考报》记者发现,作为一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,东微半导在半导体功率器件领域拥有强大的自主研发能力并形成了多项专利。截至2021年6月30日,东微半导已获授权的专利53项,包括38项境内专利(其中发明专利37项、实用新型专利1项)和15项境外专利。2017年,东微半导还获得苏州市超级结功率器件工程技术研究中心的称号。
 
东微半导表示,公司注重研发技术力量的培养和人才队伍的建设。公司将根据市场需求,以引进人才和培养人才为基础,进一步完善公司研发和技术力量建设体系,建立并完善技术创新体系,提升公司技术水平、生产经营效率,提高服务客户和开拓市场能力,使得人才队伍建设、研发技术力量建设、经营效率提高形成良性循环,最终实现业绩的增长及公司发展规划。

积极布局半导体领域 募资加码主营业务
 
业内人士认为,我国的功率半导体行业目前正经历快速发展阶段。随着我国消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业的蓬勃发展以及智能装备制造、物联网、新能源等新兴领域的兴起,国内对功率半导体产品的需求迅速扩大,推动了行业的快速发展。良好的前景吸引了诸多国内企业进入这一领域,行业内厂商则在巩固自身优势基础上积极进行市场拓展,市场竞争正在加剧。对于东微半导来说,这既是机遇又是挑战。
 
此次上市,东微半导计划募资93869.10万元,分别用于超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目和科技与发展储备资金。其中,科技与发展储备资金拟投入45700万元,占总募资金额的48.68%。东微半导计划将款项分别用于补充流动资金和产业并购及整合。
 
东微半导表示,半导体行业发展变化日新月异,公司为紧跟行业变化趋势,基于自身长期以来的设计与工艺技术积淀,持续依靠核心技术推出新型功率半导体产品,并积极布局高端功率半导体领域,力争实现国产功率器件的自主可控。报告期内,公司资金需求主要通过自身经营积累满足,随着公司业务规模扩张,产品种类不断丰富,公司预计将出现一定流动资金缺口;此外,伴随业务发展,公司亦考虑通过投资并购方式整合行业优质标的,谋求产业资源的有效协同。
 
此外,东微半导计划向超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目投入20414.58万元,占总募投金额的21.75%。该项目基于东微半导深槽超级结技术以及屏蔽栅技术的丰富积累,对高压超级结MOSFET产品及中低压屏蔽栅MOSFET产品的设计及工艺技术等方面进行改进和提升。其中,高压超级结MOSFET产品升级具体包括8英寸第三代超级结MOSFET产品及12英寸先进工艺超级结MOSFET产品的设计及工艺技术提升;中低压屏蔽栅MOSFET产品升级具体包括第三代高速屏蔽栅中低压MOSFET及高鲁棒性中低压MOSFET产品的设计工艺技术提升。
 
对于未来发展,东微半导表示,未来公司将持续专注于研发高效率、低损耗产品,实现国产功率器件的自主可控;深化与上下游优秀合作伙伴的合作,实现双赢;探索资源整合的方式,加速产品能力提升,致力于成为国际领先的功率半导体厂商。(谢碧鹭)
 
来源:经济参考网
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