碳化硅（SiC）被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一，具有禁带宽度大，击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性。近20年来，随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展 SiC材料及器件在雷达、5G通讯、电动汽车等领域获得了广泛应用，对国防工业发展、国家信息安全、国民经济建设均产生了极其重要的影响。
今年，每两年一届的全国宽禁带半导体学术会议（WBSC）迎来了第四届将在美丽的鹭岛厦门举办。由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会、第三代半导体产业技术创新战略联盟共同主办，厦门大学和南京大学联合承办。
届时，大会强大的专家团队将与来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研人员、企业代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛探讨，促进产学研用的深度交流与合作。本次会议将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。
据了解，本届大会以“芯动力·新征程--宽禁带半导体的机遇与挑战”为主题，由厦门大学校长张荣教授与第三代半导体产业技术创新战略联盟吴玲理事长共同担任大会主席。同时，邀请了强大的顾问委员会、程序委员会、组织委员会专家团。
据组委会最新消息，山东大学徐现刚教授将出席大会并带来题为“碳化硅单晶衬底的研究进展及发展趋势”的主题报告。报告以SiC单晶衬底为主要研究对象，简要介绍其基本性质、研发历史和制备方法，并结合晶体材料国家重点实验室的SiC衬底相关研究工作概述研究、产业的现状和面临挑战，并对国产SiC单晶衬底的发展进行展望。
嘉宾简介
徐现刚，师从于蒋民华院士，主要从事半导体材料制备及其应用研究的工作。 自1989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料的生长及器件应用工作，制备出多种量子异质结构材料，应用到多种半导体器件如：半导体激光器、发光二极管等。积极响应国家号召，践行产学研结合，把科技创新的成果产业化；自2000年开始SiC单晶生长和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC单晶的生长与衬底加工技术，解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题，制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。先后承担了多项863、973、国家重大专项等课题。 获得多项表彰和奖励，至今已发表超过150篇相关论文及会议报告。
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