第三代半导体材料公司氮矽科技获千万级Pre-A轮融资

日期:2021-08-30    
核心提示:功率氮化镓晶体管及其栅极驱动研发公司成都氮矽科技有限公司完成千万级Pre-A轮融资,本轮融资由老股东鼎青投资追投。
近日,据36氪报道,功率氮化镓晶体管及其栅极驱动研发公司成都氮矽科技有限公司完成千万级Pre-A轮融资,本轮融资由老股东鼎青投资追投。本轮资金将主要用于产品研发以及产品销售等方面。
 
氮矽科技成立于2019年,公司位于四川成都,公司主要研发基于第三代半导体材料氮化镓(GaN)的芯片,专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供。目前,氮矽科技的功率氮化镓产品已批量出货,主要运用于快消品市场。从2018年开始,小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo等手机品牌率先推出快速充电头,相比于传统硅材料,氮化镓芯片具有超低Rds(on)、高击穿电压、高功率、高频率、小尺寸等优势,能不断缩小PD快充头的体积、增大PD快充头的功率,备受厂家喜爱。
 
从技术路线上看,国外设计公司Navitas采用的是单片集成路线,国内氮化镓IDM龙头英诺赛科走分离器件路线,氮矽科技选择在高压端(>600V)采用分离以及系统级封装集成路线,在低压端(<200V)增加单片集成选项。以提高器件的可靠性安全性为理念,氮矽科技目前已发布推出驱动芯片DX1001、传统封装功率器件产品DX6507X、DX6510X、DX6515X、先进封装功率器件产品DX6507E、DX6510E、先进封装合封产品DX6521E等多样化产品以供客户选择。其中,DX6510E(PDDFN4*4)是目前全球最小的650V氮化镓芯片,被ASPENCORE评选为2021年度最佳新材料器件奖。
 
此外,在氮化镓栅极驱动领域,氮矽科技完成了100V功率氮化镓半桥驱动芯片的流片测试,并将于2021年Q3发布;在晶体管与驱动集成领域,氮矽科技将于8月底发布氮化镓晶体管与其驱动芯片的合封产品,同时完成了低压氮化镓单片集成芯片的研发与流片。在市场与销售端,氮矽科技的功率氮化镓产品DX6510X和DX6515X已批量出货。在商业模式上,由于氮化镓才处于起步阶段,客户对这种产品了解较少,氮矽科技通过为客户提供整体解决方案的方式方便客户的使用。产能方面,氮矽科技的代工厂即将建设一个月产能6000~10000片的工厂,氮矽科技的产能是有保障的。
 
在团队成员方面,氮矽科技董事长罗鹏是德国勃兰登堡州科技大学硕士,博士。博士后就职于德国柏林费迪南德布朗-莱布尼茨研究所,精通氮化镓器件物理特性,有近10年第三代半导体氮化镓的研发工作经验。目前公司共有十数人。
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