应用材料芯片布线技术取得突破 逻辑微缩可进入3nm及以下技术节点

日期:2021-06-18     来源:全球半导体观察    
核心提示:日前,应用材料公司宣布推出一种全新的先进逻辑芯片布线工艺技术,可微缩到3纳米及以下技术节点。
日前,应用材料公司宣布推出一种全新的先进逻辑芯片布线工艺技术,可微缩到3纳米及以下技术节点。
 
据应用材料介绍,其开发了一种名为Endura? Copper Barrier Seed IMS?的全新材料工程解决方案。这个整合材料解决方案在高真空条件下将ALD、PVD、CVD、铜回流、表面处理、界面工程和计量这七种不同的工艺技术集成到一个系统中。
 
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图片来源:应用材料
 
其中,ALD选择性沉积取代了ALD共形沉积,省去了原先的通孔界面处高电阻阻挡层。解决方案中还采用了铜回流技术,可在窄间隙中实现无空洞的间隙填充。通过这一解决方案,通孔接触界面的电阻降低了50%,芯片性能和功率得以改善,逻辑微缩也得以继续至3纳米及以下节点。
 
应用材料表示,这种独特的整合解决方案旨在帮助客户改善性能、功率和面积成本。Endura Copper Barrier Seed IMS系统现已被客户运用在全球领先的逻辑节点代工厂生产中。
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