II-VI宣布产能提升10倍,生产8英寸SiC衬底

日期:2021-04-15 来源:第三代半导体产业网阅读:451
核心提示:II-VI宣布,为了满足亚洲市场的需求,在中国福州的II-VI亚洲区总部建立了一条用于导电SiC衬底的后端加工线,该生产线的面积超过50000平方英尺(约4645平方米)。
 4月15日,II-VI宣布,为了满足亚洲市场的需求,在中国福州的II-VI亚洲区总部建立了一条用于导电SiC衬底的后端加工线,该生产线的面积超过50000平方英尺(约4645平方米)。
 
据介绍,II-VI新SiC后段线包括边缘研磨、化学机械抛光、清洁和检查,所有这些工序均在100级和1000级无尘洁净室中进行。
 
II-VI公司新投资与宽禁带电子技术业务部执行副总裁Sohail Khan说,“根据最新的行业报告,预计中国将继续成为全球最大的电动汽车市场,占全球销量的40%以上,我们计划在未来5到10年内大幅提高我们在SiC晶锭和衬底的全球产能。”
 
II-VI明确表示,该计划将在五年内将其SiC衬底的生产能力提高五至十倍,计划将在五年内将SiC衬底的生产能力提高5至10倍,其中包括直径200 mm(8英寸)的衬底。
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