1700伏碳化硅场效应晶体管采用沟槽技术，使其具有该电压等级下最低的器件电容和门电荷。测试结果显示，与最先进的1500伏场效应晶体管相比，其功率损耗减少了50%以上，效率提高了2.5%，与其他1700伏碳化硅场效应晶体管相比，效率提高了0.6%。紧凑的表面安装组件可通过自然对流冷却而不需散热器，因此具有极低的器件电容和热损耗。
该器件与脉宽调制(PWM) 控制器兼容，可以在无栅极驱动芯片的情况下直接由反激控制器操作，同时满足印制电路板（PCB）设计规范，减少了设计的隔离工作。（国家工业信息安全发展研究中心李茜楠）
