• 中科院苏州纳米所助理
    功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs钟耀宗中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所助理研究员ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
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    guansheng2023-05-22 15:12
  • 浙江大学特聘研究员任
    1200V SiC MOSFET抗辐射可靠性研究Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness任娜浙江大学特聘研究员REN NaProfessor of Zhejiang University
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    guansheng2023-05-22 13:48
  • 意大利帕多瓦大学Enri
    用于高效能量转换应用的GaN HEMT的深能级效应和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大学信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova
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    guansheng2023-05-19 08:57
  • 南京大学周峰: 从应
    从应用端看GaN功率电子器件面临的关键可靠性难题及器件性能提升方案周峰,徐尉宗,任芳芳,陈敦军,张荣,郑有炓,陆海*南京大学
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    guansheng2022-09-01 13:29
  • 西安电子科技大学微电
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
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    limit2022-05-01 17:18
  • 中科院生态环境研究中
    UV反应器设计和运行可靠性保障UV Reactor Design and Operation Reliability Guarantee李梦凯--中国科学院生态环境研究中心副研究员LI Mengkai--Associate Professor of Ecological Environment Research Center, CAS
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    limit2022-02-01 17:14
  • 陆海:面向复杂电气应
    《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者:陆海,张荣,郑有炓单位:南京大学电子科学与工程学院
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    limit2022-01-05 16:58
  • 【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》;
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性:我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域(如5G通讯基站)具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境,对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程,从产品设计,工艺开发,器件生产,到最终筛选测试,每一个环节都按严格的程序进行,确
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【视频报告 2018】星
    常州星宇车灯股份有限公司工程师李茹分享了热界面材料的特性及其对LED车灯散热和可靠性影响的研究成果,结合具体的研究实践,她
    000
    limit2021-04-29 12:11
  • 【视频报告 2018】香
    封装可靠性的评估是非常重要的环节,会上香港科技大学陶勉做了题为用于封装可靠性评估的热机测试芯片的设计与制备的报告。
    700
    limit2021-04-29 12:11
  • 【视频报告 2019】鸿
    广州市鸿利秉一光电科技有限公司总经理吴乾分享《LED紫外固化光源及模组可靠性研究》
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    limit2021-04-29 11:04
  • 【视频报告】马红波教
    西南交通大学副教授马红波分享《高效率、高可靠性多沟道HB-LED驱动电源关键技术》报告
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    limit2021-04-26 15:02
  • 【视频报告】中国科学
    随着固体照明技术的发展,可见光通信(VLC)近年来受到了广泛的关注。中国科学院半导体研究所马占红做了题为适用于可见光通信高带宽微发光二极管的可靠性分析的报告,分享了制备带宽高达1GHz的氮化镓基微LED的研究,并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流电应力下的可靠性。与传统的射频无线通信相比,VLC具有保密性高,无电磁干扰和无频谱限制等优点。它也被认为是未来无线通信的潜在接入选择。近年来,微发光二极管(Micro-LED)已经可
    311100
    limit2020-02-03 15:41
  • 【视频报告】北京工业
    北京工业大学教授郭伟玲带来了高压LED及其可靠性研究的报告,介绍了当前高压LED及其可靠性的最新研究成果。
    322500
    limit2020-02-03 15:41
  • 极智报告|日本大阪大
    极智报告|日本大阪大学高悦:铜颗粒烧结贴片连接SiC-MOSFET的长期可靠性研究进展 更多精彩报告,敬请点击页面顶端下载极智头条APP。
    700
    limit2024-03-29 15:22
  • 极智报告|华中科技大
    极智报告|华中科技大学张伟:一种新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法
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    limit2024-03-29 15:22
  • 极智报告|中国电子科
    中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家,国际电工技术标准委员会专家,研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中,冯志红表示,氮化镓与氮化铝是非常好的搭配,会带来比较高的功率,相比其他一些结构更加优化,也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域,希望增加输出功率。结合具体的建模分析,冯志红表示,降低延迟,为了获得信号而降低
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    limit2024-03-29 15:22
  • 极智报告|中国科学院
    该视频为:中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院大学岗位教授赵丽霞,主讲的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》学术报告。
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    limit2024-03-29 15:22
  • 极智报告|美国伦斯勒
    周达成授表示,在过去十年中,基于两个宽禁带(WBG)半导体(GaN和SiC)的功率开关器件正在影响功率电子系统,这是由于其良好的工业效用和改善的性能,且比传统的硅基器件的功率损耗低和能量效率高。他表示,通过模拟和实验应力(如电流崩塌和高温反偏),评估了现有......请在WIFI条件下反复观看!
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    limit2024-03-29 15:22
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