极智报告|中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红:InAlN/GaN HFETs的可靠性评估和高频特性研究

视频2023-11-26 16:10
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中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家,国际电工技术标准委员会专家,研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中,冯志红表示,氮化镓与氮化铝是非常好的搭配,会带来比较高的功率,相比其他一些结构更加优化,也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域,希望增加输出功率。结合具体的建模分析,冯志红表示,降低延迟,为了获得信号而降低
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